一种荫罩式等离子体显示板制造技术

一种荫罩式等离子体显示板，涉及一种等离子体显示板，尤其涉及一种荫罩式等离子体显示板。本发明专利技术包括前基板、后基板、荫罩，其中荫罩封装在前基板、后基板之间，荫罩为包含面孔阵列和底孔阵列的导电板，面孔与底孔属于同一个放电单元的上下表面，在面孔内壁涂覆荧光粉层，使放电的基本单元中面孔对应的空间是可见光发光区域，其特征在于在后基板保护膜表面制备一层漫反射膜，对深紫外光吸收较小，将面孔空间中通过底孔射到后基板表面的可见光反射到面孔中，部分射出前基板，为人眼所接收。本发明专利技术实现了改善亮度和发光效率的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种等离子体显示板，尤其涉及一种荫罩式等离子体显示 板，具体地说是一种后板表面制备反射膜层的荫罩式等离子体显示板。
技术介绍
目前采用的荫罩式等离子体显示板主要包括前基板、后基板和荫罩。 前基板从玻璃基板起，分别是扫描电极、介质层以及在介质层表面形成的保护层；后基板从玻璃基板起，分别是与扫描电极垂直的寻址电极，介质 层以及在介质层上形成的保护层；夹在前、后基板中间的荫罩是由导电材 料(例如铁或其合金)加工而成的包含网孔阵寻址的金属薄网板。将上述 前基板、荫罩和后基板组装封接后充入预定的工作气体，譬如各种惰性气 体，即形成了荫罩式等离子体显示板。目前荫罩式等离子体显示板釆用对 向放电的工作原理，其工作原理如下首先，在寻址电极组和扫描电极之间 加一高压窄脉冲或斜坡脉沖擦除信号，擦除上次放电积累的壁电荷；然后 在扫描电极上加一高脉沖寻址电压选中该行，同时在寻址电极上施加该行 的数据脉沖，该数据脉冲电压幅度与扫描电压之差高于扫描电极与寻址电 极之间的着火电压，控制触发放电，从而在该行形成与所需显示信息对应 的壁电荷分布；在逐行完成整屏图象初始放电之后，在扫描电极组和寻址 电极之间施加维持》i:电脉冲，以显示该帧图象。如此循环即可逐帧显示图 象。对彩色荫罩式等离子体显示板而言，荫罩的面孔为大孔，与前基板面 对放置，内壁涂敷三基色荧光粉，荫罩的底孔为小孔，小孔间由通槽联通， 底孔与后基板面对放置，每一放电单元中气体放电产生的真空紫外光，激 发不同荧光材料发出相应的三基色光。然而，上述荫罩式等离子体显示板 中存在如下问题由于采用对向型放电结构，放电空间集中在上下基板的电极之间，而荧光粉只涂敷在荫罩大孔的内壁表面，使在底孔放电空间产 生的深紫外光损失^f艮大，无法激发大孔内壁的荧光粉发光，使荫罩式等离 子体显示板的亮度较低，发光效率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有的荫罩式等离子体显示板采用对向型放电产 生的问题，专利技术一种具有改善亮度和发光效率的荫罩式等离子体显示板， 在后基板的表面制备一层反射膜层。本专利技术的技术方案是一种荫罩式等离子体显示板，包括前基板、后基板、荫罩，其中荫罩 封装在前基板、后基板之间，所述的前基板包括前衬底玻璃基板、扫描电 极、前基板介质层、前基板保护膜，扫描电极平行设置在前衬底玻璃基板 上，前基板介质层覆盖在扫描电极上，前基板保护膜覆盖在前基板介质层 上；所述的后基板包括后衬底玻璃基板、寻址电极后基板介质层和后基板 保护膜，寻址电极平行设置在后衬底玻璃基板上，后基板介质层覆盖在寻 址电极上，后基板保护膜则覆盖在后基板介质层上；寻址电极与扫描电极 成空间垂直正交；荫罩为包含面孔阵列和底孔阵列的导电板，面孔与底孔 属于同一个放电单元的上下表面，前基板相对的面孔的面积是其与后基板 相对的底孔面积的10~20倍，每一个面孔的上开口宽度为底孔下开口宽度 的2~4倍；扫描电极与荫罩上的面孔的上开口面对放置并置于中间位置， 寻址电极与荫罩上的底孔的下开口相对放置并置于中间位置，所述荫罩、 扫描电极、寻址电极组成介质阻挡型交流放电型的基本单元；在面孔内壁 涂覆荧光粉层，使放电的基本单元中面孔对应的空间是可见光发光区域， 一部分可见光直接或射到内壁反射后射出前基板，为人眼所接收，另一部 分直接或经过内壁反射到后基板出射，不能为人眼所接收，其特征在于在 后基板保护膜表面制备一层漫反射膜，对深紫外光吸收较小，将面孔空间 中通过底孔射到后基板表面的可见光反射到面孔中，部分射出前基板，为 人眼所接收。比较好的是，本专利技术的漫反射膜通过连续蒸镀成膜的方法，厚度为50nm ~lum。比较好的是,本专利技术的漫反射膜的材料为纳米SiO厂X粉末或Si02薄膜。 本专利技术与现有技术相比，具有如下的有益效果1、 本专利技术的等离子体显示板在后j^反内表面制备一层:;i^射层，将出射到后基板的可见光反射到前基板，并部分出射，改善了现有对向型放电 荫罩式等离子体显示板的发光亮度和发光效率。2、 本专利技术制备反射膜的方法工艺简单，不改变现有荫罩式等离子体显 示板工艺流程。附图说明图1是为本专利技术的显示板的结构示意图。 图2为本专利技术的;版射膜作用示意图。 图3本专利技术的纳米粉末漫反射膜的制备步骤。 图4本专利技术的显示板的封装结构示意图。图中1、前基板；2、后基板；3、荫罩；4、前衬底玻璃基板；5、扫 描电极；6、前基板介质层；7、前基板保护膜；8、后衬底玻璃基板；9、 寻址电极；10、后基板介质层；11、后基板保护膜；12、面孔；13、底孑L; 14、上开口； 15、下开口； 16、漫反射膜；17、封接框；18、排气管。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的说明。 实施例一。 如图1-4所示一种荫罩式等离子体显示板，如图1所示，包括前基板l、后基板2、 荫罩3,其中荫罩3封装在前基板1 、后基板2之间，所述的前基板1包括 前衬底玻璃基板4、扫描电极5、前基板介质层6、前基板保护膜7，扫描 电极5平行设置在前衬底玻璃基板4上，前基板介质层6覆盖在扫描电极5上，前基板保护膜7覆盖在前基板介质层6上；所述的后基板2包括后衬 底玻璃基板8、寻址电极9、后基板介质层10和后基板保护膜11,寻址电 极9平行设置在后村底玻璃基板8上，后基板介质层10覆盖在寻址电极9 上，后基板保护膜ll则覆盖在后基板介质层IO上；寻址电极9与扫描电 极5成空间垂直正交；荫罩3为包含面孔12阵列和底孔13阵列的导电板， 面孔12与底孔13属于同一个放电单元的上下表面，前基板1相对的面孔 12的面积是其与后基板2相对的底孔13面积的10~20倍，每一个面孔12 的上开口 14宽度为底孔13下开口 15宽度的2 4倍；扫描电极5与荫罩3 上的面孔12的上开口 14面对放置并置于中间位置，寻址电极10与荫罩3 上的底孔13的下开口 15相对放置并置于中间位置，所述荫罩3、扫描电极 5、寻址电极9组成介质阻挡型交济ui文电型的基本单元；在面孔12内壁涂 覆荧光粉层，使放电的基本单元中面孔12对应的空间是可见光发光区域， 一部分可见光直接或射到内壁反射后射出前基板l，为人眼所接收，另一部 分直接或经过内壁反射到后基板出射，不能为人眼所接收，其特征在于在 后基板保护膜11表面制备一层漫反射膜16,对深紫外光吸收较小，将面孔 12空间中通过底孔13射到后基板表面的可见光反射到面孔12中，部分射 出前基板l,为人眼所接收。漫反射膜的作用示意如图2所示。漫反射膜16由纳米SiO广X粉末通过喷涂构成反射膜层，在后基板2 的保护膜11表面附着良好，所有制备过程不影响保护膜11的性能，漫反 射膜16制备步骤如图3所示。将前基板1、荫罩3、后基板2的四周用低熔点玻璃制作的封接框17 进行气密封接，在显示区域外、封接框17内设置排气管18,通过该排气管 与真空系统相连，可以对上述器件进^f亍真空除气，并充以一定气压的所需 工作气体后与真空系统封离，这就形成了本专利技术所提供的等离子体显示板， 封接解构如图4所示。该等离子体显示板的工作原理如下在寻址电极9和扫描电极5之间 加一高压窄脉冲或斜坡脉沖擦除信号，擦除上次放电积累的壁电荷；然后在扫描电极5上加一高脉沖选中该行，同时在寻址本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种荫罩式等离子体显示板，包括前基板（１）、后基板（２）、荫罩（３），其中荫罩（３）封装在前基板（１）、后基板（２）之间，所述的前基板（１）包括前衬底玻璃基板（４）、扫描电极（５）、前基板介质层（６）、前基板保护膜（７），扫描电极（５）平行设置在前衬底玻璃基板（４）上，前基板介质层（６）覆盖在扫描电极（５）上，前基板保护膜（７）覆盖在前基板介质层（６）上；所述的后基板（２）包括后衬底玻璃基板（８）、寻址电极（９）、后基板介质层（１０）和后基板保护膜（１１），寻址电极（９）平行设置在后衬底玻璃基板（８）上，后基板介质层（１０）覆盖在寻址电极（９）上，后基板保护膜（１１）则覆盖在后基板介质层（１０）上；寻址电极（９）与扫描电极（５）成空间垂直正交；荫罩（３）为包含面孔（１２）阵列和底孔（１３）阵列的导电板，面孔（１２）与底孔（１３）属于同一个放电单元的上下表面，前基板（１）相对的面孔（１２）的面积是其与后基板（２）相对的底孔（１３）面积的１０～２０倍，每一个面孔（１２）的上开口（１４）宽度为底孔（１３）下开口（１５）宽度的２～４倍；扫描电极（５）与荫罩（３）上的面孔（１２）的上开口（１４）面对放置并置于中间位置，寻址电极（１０）与荫罩（３）上的底孔（１３）的下开口（１５）相对放置并置于中间位置，所述荫罩（３）、扫描电极（５）、寻址电极（９）组成介质阻挡型交流放电型的基本单元；在面孔（１２）内壁涂覆荧光粉层，使放电的基本单元中面孔（１２）对应的空间是可见光发光区域，一部分可见光直接或射到内壁反射后射出前基板（１），为人眼所接收，另一部分直接或经过内壁反射到后基板出射，不能为人眼所接收，其特征在于在后基板保护膜（１１）表面制备一层漫反射膜（１６），对深紫外光吸收较小，将面孔（１２）空间中通过底孔（１３）射到后基板表面的可见光反射到面孔（１２）中，部分射出前基板（１），为人眼所接收。...

【技术特征摘要】
1.一种荫罩式等离子体显示板，包括前基板(1)、后基板(2)、荫罩(3)，其中荫罩(3)封装在前基板(1)、后基板(2)之间，所述的前基板(1)包括前衬底玻璃基板(4)、扫描电极(5)、前基板介质层(6)、前基板保护膜(7)，扫描电极(5)平行设置在前衬底玻璃基板(4)上，前基板介质层(6)覆盖在扫描电极(5)上，前基板保护膜(7)覆盖在前基板介质层(6)上；所述的后基板(2)包括后衬底玻璃基板(8)、寻址电极(9)、后基板介质层(10)和后基板保护膜(11)，寻址电极(9)平行设置在后衬底玻璃基板(8)上，后基板介质层(10)覆盖在寻址电极(9)上，后基板保护膜(11)则覆盖在后基板介质层(10)上；寻址电极(9)与扫描电极(5)成空间垂直正交；荫罩(3)为包含面孔(12)阵列和底孔(13)阵列的导电板，面孔(12)与底孔(13)属于同一个放电单元的上下表面，前基板(1)相对的面孔(12)的面积是其与后基板(2)相对的底孔(13)面积的10～20倍，每一个面孔(12)的上开口(14)宽度为底孔(13)下开口(15...

【专利技术属性】
技术研发人员：李青，汤勇明，郑姚生，朱笛，王保平，
申请(专利权)人：东南大，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]