电子元件的制造方法和薄膜的制造装置制造方法及图纸

一种在支持体上叠层金属薄膜和绝缘性薄膜制造电子元件的方法，在叠层开始前将分离剂供给支持体。或者在叠层工序的中途在叠层体的表面上施加分离剂后，再继续叠层。将叠层体从支持体分离时，或者将叠层体在叠层方向多个分割时，防止产生叠层体的裂纹，提高电子元件的成器率和生产效率。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子元件的制造方法和薄膜的制造装置。在现代社会里薄膜在非常广的范围内起作用。在包装纸、磁带、电容器、半导体等日常生活的各个方面都在使用薄膜。没有这些薄膜、就无法谈到近年来高性能化和小型化技术的基本发展。同时，为满足工业的需要，对形成薄膜的方法进行了各种研究。例如，在包装纸、磁带、电容器等的用途上，采用了有利于快速大量生产的连续卷绕真空蒸镀方法。此时，为了形成薄膜，在选择蒸发材料和基片材料的同时，根据需要可以在真空槽中导入反应气体，并在基片上产生电位而形成薄膜，这样形成的薄膜可拥有希望有的特性。例如，在制造磁性存储媒体时，使用Co.Ni.Fe等含有磁性元素的蒸发材料，并在向真空槽中导入氧气的同时进行反应蒸镀，由此可以得到很长的磁存储媒体。在半导体方面主要是用溅射法形成薄膜。溅射法对使用陶瓷性材料形成薄膜特别适用。在多数情况，陶瓷薄膜的薄膜厚度为数μm以上时以涂敷烧成法形成，在1μm以下时以溅射法形成。另一方面，在用树脂材料形成薄膜时，是用涂漆法，工业上用逆式涂层和增粘涂层法，一般将被溶剂稀释过的材料涂漆后使之干燥硬化。用这些方法形成的树脂薄膜的厚度的下限取决于使用材料，但在1μm左右的较多。若厚度在这以下则较难制成。一般的涂漆方法在刚涂漆后涂敷厚度在数μm以上，因此在形成极薄树脂膜时需要溶剂稀释。但即使用这样的方法在多数情况下也得不到1μm以下的树脂薄膜。另外，进行溶剂稀释则干燥后的涂膜易产生缺陷，且从环境保护的观点看也是不理想的，因此，希望产生即使不进行溶剂稀释也能形成树脂薄膜的方法，及稳定地得到极薄的树脂薄膜的方法。为了实现这一目的，人们提出了在真空中形成树脂薄膜的方法。这种方法是在真空中将树脂材料气化后附着在支持体上，根据这种方法可以形成没有空隙缺陷的树脂薄膜，而且不用稀释溶剂。在陶瓷薄膜和树脂薄膜的上面再叠层别的种类的薄膜，可以制成过去不能制造的各种各样的复合薄膜，它在工业上的利用领域非常广泛。这其中具有片状形状的电子元件非常有前景，电容器、线圈、阻抗、电容性电池或者它们的组合元件等，因为薄膜叠层而变得极小型化和高性能化。并且已经开始商品化，其市场正在扩大。要制成电子元件，电极当然是不可缺少的，对于使用金属薄膜的电子元件，通过在金属薄膜上构制图形，可以在电子元件中形成电位不同的金属薄膜。即，作为绝缘部分的构制图形部分(金属薄膜未形成部分)，将金属薄膜分成几部分，再将其与绝缘性薄膜叠层，可以形成复杂的电子元件。图4表示由薄膜的叠层构成的电子元件的制造装置的一个实施例的概略图。如图所示，在圆筒状冷却滚筒7的周围，配置有金属薄膜的制造装置8、由树脂材料等构成的绝缘性薄膜的制造装置9、对金属薄膜进行构制图形的构图材料施加装置11。这些装置被放在真空槽5内，由吸泵构成的排气系统6维持真空槽内达到予定的真空度。冷却滚筒7沿箭头方向旋转，由此在冷却滚筒7的外周面上，形成绝缘性薄膜和构制图形后的金属薄膜交替叠层的薄膜叠层体。图中10表示将绝缘性薄膜硬化至预定硬度的硬化装置，12为将金属薄膜形成后除去所产生的多余的构图材料的构图材料除去装置。这样形成的薄膜叠层体从冷却滚筒7分离后，将其切断成各种电子元件所需要的大小，或供给其外部电极，由此形成大多数的电子元件。为了制造构制图形后的金属薄膜，可使用被称作油限界的方法。这是利用了预先形成薄的构图材料后，当用蒸镀等方法形成金属薄膜时，构图材料上不会形成金属薄膜的方法。这样形成的金属薄膜呈去掉构图部分以后的形状，可以因此形成具有所需图形的金属薄膜，例如用图4的装置对金属薄膜和树脂薄膜进行交替叠层时，变换构图位置再进行叠层，然后切断叠层体，就可以得到许多个具有图3所示断面构造的电容器。但是，按照上述方法制造的电子元件的成品率，会由于薄膜叠层体从滚筒等支持体分离时产生的裂纹等而降低。而且，这种裂纹会显著降低电子元件的可靠性。另外，为了使薄膜叠层体从支持体分离，需要停止装置的运转，并且每次都会破坏真空环境使装置的成膜效率变低。本专利技术的目的是解决在上述现有的电子元件用薄膜叠层体的制造方法中存在的问题，提供具有高生产率，可靠性高的电子元件的制造方法。本专利技术的另一个目的是提供生产性能良好，能制造出可靠性高的薄膜叠层体的制造装置。为了达到上述目的，本专利技术采用以下方案本专利技术第一个方案的电子元件的制造方法，其特征在于，包括在预先施加分离剂的支持体上形成叠层薄膜的工序；及将前述叠层薄膜从前述支持体分离的工序。根据此方案，由于在支持体上形成叠层薄膜以前，已经在支持体上供给了分离剂，所以叠层薄膜形成后，从支持体分离时，不会产生叠层薄膜的裂纹等损伤。其结果是能得到成品率高，可靠性高的电子器件。由此，本专利技术的制造方法适用于以高性能电容为代表的高性能电子元件等的批量生产。在上述方案中，当前述的叠层薄膜为多层叠层时，也可以在叠层的中途将分离剂施加到前述叠层薄膜表面。根据此方案，在将叠层薄膜叠层到预定的层数完成制造后，在施加分离剂的面上将叠层薄膜分离、由此可以在连续的叠层工序中得到大多数的电子元件用叠层薄膜。而且分离时不会产生裂纹等的损伤，其结果，可以制造生产率高，可靠性良好的电子元件。本专利技术第2方案是至少含有金属薄膜和绝缘性薄膜的电子元件的制造方法，其特征为，包括在支持体上分别叠层所述金属薄膜和所述绝缘性薄膜2层以上，形成叠层体的工序；和将所述叠加体沿厚度方向分离的工序。根据本方案，因为可以沿厚度方向叠层制造多层电子元件用叠层体，所以可以提高电子元件的生产率。因此，本专利技术适用于以高性能电容器为代表的高性能电子元件的批量生产。在上述方案中，最好将所述金属薄膜和所述绝缘性薄膜叠层到予定的层数后，施加分离剂，继续将所述金属薄膜和绝缘性薄膜叠层到预定的层数，根据这一最佳方案，因为预先在分离面上施加了分离剂，当将叠层体分离时就不会产生裂纹等的损伤，其结果，可以得到成品率高。可靠性高的电子元件。在上述方案中最好包括有在所述叠层体形成工序以前，将分离剂施加到支持体上的工序，根据这一最佳方案，因为在支持体上施加了分离剂，将叠层体从支持体分开时，叠层体上不会产生裂纹等损伤，其结果是，可以得到成品率高，可靠性高的电子元件。在上述方案中，最好在真空中不破坏真空环境的条件下，连续形成所述金属薄膜及绝缘性薄膜。另外，在上述方案中，最好在真空中不破坏真空环境下，连续进行所述金属薄膜和绝缘性薄膜的形成及所述分离剂的施加。在此，所说的破坏真空环境是指一旦回到大气压下则不进行操作的意思，不包括允许程度内的真空度的降低(变动)。根据此最佳构成，可以高效率地制造电子元件。而且，因为可以防止由于真空环境的破坏造成的金属薄膜的氧化和叠层体中的异物混入，所以可以防止成品率的下降，得到可靠性高的电子元件。在上述方案中，前述分离剂的供给，最好按照蒸镀法，喷雾法、溅射法中的一个或者其组合方法来进行，根据此最佳构成，由于分离剂的施加可以稳定可靠地进行，所以叠层体的分离可变得很容易，其结果，可防止成品率的低下，得到可靠性高的电子元件。本专利技术的薄膜制造装置，其特征在于它包括真空槽；维持所述真空槽达到预定真空度的真空泵；在所述真空槽内配置的支持体；在所述支持体上直接或间接地叠层形成金属薄膜的金属薄膜形成装置；在所述支持体上直接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子元件的制造方法，其特征在于，包括在预先施加分离剂的支持体上形成叠层薄膜的工序，和将所述支持体从所述叠层薄膜分离的工序。

【技术特征摘要】
JP 1997-12-25 357080/971．一种电子元件的制造方法，其特征在于，包括在预先施加分离剂的支持体上形成叠层薄膜的工序，和将所述支持体从所述叠层薄膜分离的工序。2．根据权利要求1所述的电子元件的制造方法，其特征在于，将所述叠层薄膜叠层多层，在叠层的中途将分离剂施加到所述叠层薄膜表面。3．一种电子元件的制造方法，所述电子元件至少具有金属薄膜和绝缘性薄膜，其特征在于，包括在支持体上将所述金属薄膜和绝缘性薄膜各自叠层2层以上形成叠层体的工序，及沿厚度方向分离所述叠层体的工序。4．根据权利要求3所述的电子元件的制造方法，其特征在于，将所述金属薄膜和绝缘性薄膜叠层到予定层数后，施加分离剂，再次将所述金属薄膜和绝缘性薄膜叠层到予定层数。5．根据权利要求3所述的电子元件的制造方法，其特征在于，在形成所述叠层体工序以前...

【专利技术属性】
技术研发人员：本田和义，越后纪康，砂流伸树，小田桐优，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]