层合陶瓷电容器制造技术

本发明专利技术提供可以在还原气氛下、于１０８０℃以下进行烧结，并且介电常数为２０００以上，温度特性满足Ｘ７Ｒ特性或Ｘ８Ｒ特性、寿命特性良好的层合陶瓷电容器，其特征在于，内部电极４由Ｃｕ或Ｃｕ合金构成，电介质陶瓷３由在截面处观察时的直径平均值为４００ｎｍ以下的粒子８和晶粒边界１２构成，上述粒子８由具有磁畴图案１１的电介质９和形成于该电介质表面的壳１０构成，设在截面处观察时的上述粒子的直径平均值为Ｄ、上述壳的厚度平均值为ｔ时，ｔ／Ｄ为２％～１０％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及内部电极由贱金属构成的层合陶瓷电容器，特别涉及使用Cu作为内部电极的层合陶瓷电容器。
技术介绍
用于便携设备、通信设备等电子设备中的层合陶瓷电容器越来越 要求小型化和大容量化。另外，也提高了对可靠性的要求，所以需要介电常数的温度特性(TC)平坦、高温加速寿命特性(以下称为寿命 特性)良好的层合陶瓷电容器。作为得到上述小型大容量的层合陶资电容器的方法，例如，有使 用特开平5-9066号公报中公开的非还原性电介质陶瓷组合物的方法。 但是，上述电介质陶瓷组合物为了具有耐还原性而添加了各种添加 物。因此，为了烧结该电介质陶瓷组合物，需要110(TC以上的烧成温 度。另外，内部电才及也必须^f吏用熔点高的Ni。另夕卜，从能量效率方面考虑，提出了由能够在1000。C左右的低温 下烧成的材料构成的层合陶瓷电容器。例如，有使用特开平5-217426 号公报中公开的能够与Cu等内部电极材料同时烧成的非还原性电介 质陶资组合物的方法。上述电介质陶瓷组合物虽然温度特性平坦，但 介电常数低，所以，难以得到小型大容量的层合陶瓷电容器。为了得到温度特性平坦、介电常数高(s22000)的层合陶瓷电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层合陶瓷电容器，具有大致长方体形状的陶瓷层合体、在所述陶瓷层合体中间隔电介质陶瓷相对置并交替引出到不同的端面而形成的内部电极、和形成于所述陶瓷层合体的两个端面并与引出到该端面的所述内部电极分别电连接的外部电极，其特征在于，所述内部电极由Ｃｕ或Ｃｕ合金构成，所述电介质陶瓷由在截面处观察时的直径平均值为４００ｎｍ以下的粒子和晶粒边界构成，是以ＢａＴｉＯ↓［３］为主体的钙钛矿型电介质材料的烧结体，所述粒子由具有磁畴图案的电介质和形成于所述电介质表面的壳构成。

【技术特征摘要】
JP 2006-9-15 281923/20061、 一种层合陶瓷电容器，具有大致长方体形状的陶瓷层合体、 在所述陶瓷层合体中间隔电介质陶瓷相对置并交替引出到不同的端面而形成的内部电;f及、和形成于所述陶瓷层合体的两个端面并与引出 到该端面的所述内部电极分别电连接的外部电极，其特征在于， 所述内部电极由Cu或Cu合金构成，所述电介质陶瓷由在截面处观察时的直径平均值...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹冈伸介，
申请(专利权)人：太阳诱电株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]