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一种积层陶瓷电容器制造技术

技术编号:10049748 阅读:213 留言:0更新日期:2014-05-15 20:08
本发明专利技术提供一种积层陶瓷电容器,其无论介电体层与内部电极层之厚度及零件尺寸如何,均可确保具有较高之抗折强度。本发明专利技术之积层陶瓷电容器使用已实质性氧化物化之电极层作为多个内部电极层11b中位於积层方向两端之两个内部电极层11b1,藉该利用已氧化物化之内部电极层11b1之抗折强度显着高於未氧化物化之剩余内部电极层11b之抗折强度,而可提高积层陶瓷电容器10自身之抗折强度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及陶瓷电容器,尤其是一种积层陶瓷电容器
技术介绍
一种积层陶瓷电容器,其具备:层叠有多层电介质层的积层体,分别位于积层体的相对的侧面的第1以及第2端电极,在积层体内沿该积层体的积层方向同时设置的多个内部电极群。各内部电极群具有:与第1端电极连接的第1内部电极,与第2端电极连接的第2内部电极,与第1以及第2端电极都不连接的第3内部电极。第1内部电极、第2内部电极和第3内部电极被配置为使电介质层夹在其之间,从而在所述第1内部电极和所述第2内部电极之间形成多个串联连接的电容分量。在位于积层体的积层方向上最外侧的内部电极群上形成的电容分量的数量,比在与位于最外侧的所述内部电极群相比位于内侧位置的内部电极群上形成的电容分量的数量多。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供陶瓷电容器。本专利技术提供一种积层陶瓷电容器,其无论介电体层与内部电极层之厚度及零件尺寸如何,均可确保具有较高之抗折强度。本专利技术之积层陶瓷电容器使用已实质性氧化物化之电极层作为多个内部电极层11b中位於积层方向两端之两个内部电极层11b1,藉该利用已氧化物化之内部电极层11b1之抗折强度显着高於未氧化物化之剩余内部电极层11b之抗折强度,而可提高积层陶瓷电容器10自身之抗折强度。具体实施方式本专利技术提供一种积层陶瓷电容器,其无论介电体层与内部电极层之厚度及零件尺寸如何,均可确保具有较高之抗折强度。本专利技术之积层陶瓷电容器使用已实质性氧化物化之电极层作为多个内部电极层11b中位於积层方向两端之两个内部电极层11b1,藉该利用已氧化物化之内部电极层11b1之抗折强度显着高於未氧化物化之剩余内部电极层11b之抗折强度,而可提高积层陶瓷电容器10自身之抗折强度。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种积层陶瓷电容器,其特征在于:具备介电体层与内部电极层交替堆积之结构,且多个内部电极层中,包含位於积层方向两端之两个内部电极层之积层方向两侧的一层以上之内部电极层,已实质性氧化物化而不再发挥作为内部电极层之功能,而藉由未氧化物化之残余内部电极层而决定静电容量。

【技术特征摘要】
1.一种积层陶瓷电容器,其特征在于:具备介电体层与内部电极层交替
堆积之结构,且多个内部电极层中,包含位於积层方向两端之两个内
部电极层之积...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐孝华
申请(专利权)人:徐孝华
类型:发明
国别省市:江苏;32

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