【技术实现步骤摘要】
一种抗电强度高的中高压片式陶瓷电容器
本技术涉及片式陶瓷电容器设计
，特别是适合于额定电压在直流160V以上的中高压多层片式瓷介电容器的内部结构设计。
技术介绍
现有的中高压多层结构的片式陶瓷电容器是在陶瓷介质膜片上印刷内电极后由内电极多层错位叠加后经烧结成瓷，然后再并联端电极构成。这些中高压多层结构的片式陶瓷电容器的内电极形状均为直角矩形，这种直角边缘在各层内电极之间会引起边缘电场的畸变，使得电容器的抗电强度不高，难以满足电子
的要求。这种片式陶瓷电容器靠近端电极末端，由于相邻内电极和外电极的不对称分布，该处的电场集中区域形状复杂。目前为了提高其抗电强度，通常的做法是加大电容器的外形尺寸，这给加工过程带来不便，同时与目前电子元器件小型化趋势背道而驰，如何在不增加外形尺寸的条件下提高电容器单位体积的抗电强度是亟待解决的问题。
技术实现思路
为了解决上述现有技术中存在的问题，本技术的目的是提供一种相同外形尺寸的前提下，具有更高的抗电强度的中高压片式陶瓷电容器。为了达到上述目的，本技术的的技术方案以如下方式实现:本抗电强度高的中高压片式陶瓷电容器由设置有相互交替平行错位叠加的内电极的陶瓷介质以及与内电极连接的外电极构成，其特征是所述的内电极的边角为圆弧形边角。根据静电场中的库仑定理可知，电场集中区域一般发生在电极形状突变的地方，如电极边角。本技术将原来的直角矩形形状的内电极的直角边缘改为圆弧形，这种圆弧形的电极形状有利于减缓电场集中、减小电场集中区域。针对不同尺寸产品设计相应的边角圆角半径，可使圆角附近的场强集中区域缩小。根据试验发...
【技术保护点】
一种抗电强度高的中高压片式陶瓷电容器，由设置有相互交替平行错位叠加的内电极的陶瓷介质以及与内电极连接的外电极构成，其特征是所述的内电极的边角为圆弧形边角。
【技术特征摘要】
1.一种抗电强度高的中高压片式陶瓷电容器，由设置有相互交替平行错位叠加的内电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：李军，杨志伟，王兴才，陈亚东，
申请(专利权)人：成都宏明电子科大新材料有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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