芯片电阻器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种芯片电阻器及其制造方法，该芯片电阻器包括具有平坦底面的金属制的电阻体。在所述底面上形成互相分开的两个电极和位于这些电极之间的树脂制的绝缘膜。各个电极与所述绝缘膜部分重叠，结果，所述绝缘膜的一部分进入各个电极和电阻体的所述底面之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
本申请的图8表示先前的芯片电阻器的一个例子(参照日本特许申请公开第2002-57009号公报)。图中所示的芯片电阻器A1具有金属制的芯片状电阻体100，和设在电阻体下面100a上的一对电极110。在各个电极110的下面上形成有钎焊料层120。从同一个图中可看出，电阻体的下面100a可以分成由两个电极110覆盖的区域、和位于这些电极之间的露出区域。使用时，电阻器A1钎焊在印刷电路基板上。这时，希望熔融的钎焊料只附着在电阻器A1的两个电极110上。然而，采用图8所示的先前结构，熔融的钎焊料不仅附着在电极110上，而且附着在电阻体的下面100a的上述露出区域上。当钎焊料附着在下面100a上时，芯片电阻器A1的电阻值与所期望的电阻值不同。结果，利用芯片电阻器A1构成的电气电路不能正常工作。通过利用树脂制的绝缘膜覆盖电阻体100的下面100a上的上述露出区域，可以消除这种缺点。然而，在该绝缘膜具有不能很好地附着在金属制的电阻体100上的特性的情况下，通电时在电阻器R1上产生的热(或其他的原因)，可以使上述绝缘膜从电阻体100上剥离。
技术实现思路
本专利技术是考虑上述问题而提出的。本专利技术的目的是要提供一种绝缘膜不容易从电阻体上剥离的芯片电阻器。本专利技术的另一个目的是要提供制造这种芯片电阻器的方法。根据本专利技术的第一个方面提供的芯片电阻器，具有包含第一主面和在第一主面反对侧的第二主面的金属制的电阻体；在上述电阻体的上述第一主面上形成的树脂制的第一绝缘膜；和防止固定在上述电阻体上的绝缘膜剥离的装置，通过使上述防止绝缘膜剥离部件与上述第一绝缘膜的一部分重叠，上述第一绝缘膜的上述一部分，进入上述防止绝缘膜剥离部件和上述电阻体的上述第一主面之间。采用上述结构，借助上述防止绝缘膜剥离部件，可防止上述第一绝缘膜从上述电阻体上剥离。优选，上述防止绝缘膜剥离部件包含设在上述第一主面上而且互相分开的两个主电极，上述第一绝缘膜设在该两个主电极之间。优选，本专利技术的芯片电阻器，它还具有在上述电阻体的上述第二主面上形成的树脂制的第二绝缘膜，上述防止绝缘膜剥离部件包含设在上述第二主面上，而且互相分开的两个辅助电极，各辅助电极与上述第二绝缘膜的一部分重叠。优选，上述防止绝缘膜剥离部件包含设置在上述电阻体的侧面上的第三绝缘膜，上述第三绝缘膜与上述第一绝缘膜的一部分和上述第二绝缘膜的一部分重叠。优选，上述第一绝缘膜，上述第二绝缘膜和上述第三绝缘膜由相同材料制成。优选，本专利技术的芯片电阻器，它还具有覆盖上述主电极和上述辅助电极的钎焊料层。优选，上述两个辅助电极分开的距离比上述两个主电极分开的距离大。优选，上述主电极和上述辅助电极由相同材料制成。根据本专利技术的第二个方面，提供了芯片电阻器的制造方法，它具有下列工序；准备包含第一主面、位于该第一主面反对侧的第二主面和在第一主面和第二主面之间延伸的两个侧面的条状电阻体材料；在上述第一主面上形成多个互相分开的第一绝缘膜，同时，在上述第二主面上形成互相分开的多个第二绝缘膜，在上述两个侧面的各个上，分别形成部分覆盖上述第一绝缘膜和上述第二绝缘膜的第三绝缘膜；在上述第一主面中不设置上述第一绝缘膜的区域上，形成厚度比上述第一绝缘膜的厚度大的第一导电层，同时，在上述第二主面中不设置上述第二绝缘膜的区域上，形成厚度比上述第二绝缘膜的厚度大的第二导电层；和将上述条状电阻体材料分割成多个芯片状电阻体。上述电阻体材料的上述分割是按照在各个芯片状电阻体上形成来源于上述第一和第二导电层的电极来进行的。优选，上述第一和第二绝缘膜是通过厚膜印刷形成的。优选，上述第一和第二导电层是通过电镀处理形成的。优选，本专利技术的制造方法，还具有利用滚镀处理(barrel plating)形成将在上述各个芯片状电阻体上形成的上述电极覆盖的钎焊料层的工序。本专利技术的其他特征和优点，从以下优选实施例的说明中，可以更好地了解。附图说明图1为表示根据本专利技术的芯片电阻器的立体图。图2为沿着图1中的II-II线的截面图。图3为沿着图1中的III-III线的截面图。图4为沿着图2中的IV-IV线的截面图。图5A为表示在制造本专利技术的芯片电阻器时使用的框架的立体图。图5B为表示上述框架的主要部分的平面图。图6A和6B为表示利用了上述框架的芯片电阻器的制造方法的一个工序的平面图。图7A和7B为表示接着在图6A和6B所示的工序后进行的工序的平面图。图8为表示先前的芯片电阻器的立体图。具体实施例方式以下，参照附图，具体地说明本专利技术的优选实施例。图1-图4为表示根据本专利技术的芯片电阻器的一个例子。图示的芯片电阻器R1具有电阻体1、一对主电极21、一对辅助电极22、第一～第三绝缘膜31-33、和一对钎焊料层4。电阻体1整个为具有一定厚度的矩形芯片，由金属制成。作为其材质可举出Ni-Cu系合金或Cu-Mn系合金。但本专利技术不是仅限于此，只要是具有与芯片电阻器R1的目标电阻值相称的电阻率的材料，也可以适当采用。一对主电极21和一对辅助电极22由同一种材质(例如铜)制成。各个主电极21设在电阻体1的下面1a上。另一方面，各个辅助电极22设在电阻体1的上面1b上。该一对主电极21和辅助电极22，在X方向隔开一定间隔。第一～第三绝缘膜31-33例如由环氧树脂制成。第一绝缘膜31设置在电阻体1的下面1a上。详细地说，下面1a分成形成两个主电极21的区域和除此以外的区域(“非电极区域”)。上述第一绝缘膜31覆盖该全部非电极区域地形成。在图中所示的实施例中，第一绝缘膜31设置在两个主电极21之间。同样，第二绝缘膜32覆盖电阻体1的上面1b的整个非电极区域地形成。图示的第二绝缘膜32设置在两个辅助电极22之间。如图3所示，第三绝缘膜33由两个绝缘膜构成，它们分别覆盖电阻体1的对应的一个侧面1d的全部。如图2的符号n1所示，各个主电极21的内端部21a与第一绝缘膜31的端部31a接触，而且重叠(第一绝缘膜31具有在X方向分开的两个端部31a)。如果采取另外一种说法，则第一绝缘膜31的端部31a进入主电极21的内端部21a和电阻体1的下面1a之间。同样，如符号n2所示，各个辅助电极22的内端部22a与第二绝缘膜32的端部32a接触，并重叠(第二绝缘膜32具有在X方向分开的两个端部32a)。如果采用别的说法，则第二绝缘膜32的端部32a进入辅助电极22的内端部22a和电阻体1的上面1b之间。如后所述，电极21、22的上述重叠的状态可通过进行电镀处理形成该电极得到。主电极21和辅助电极22的厚度t1、t2，比第一和第二绝缘膜的厚度t3、t4大。如后所述，两个主电极21的分开距离s1由设在它们之间的第一绝缘膜31规定；分开距离s1与第一绝缘膜31的宽度相同。由图2可看出，主电极21的分开距离s1可以主电极21和电阻体1的下面1a的接触部分的内侧末端为基准测定。同样，两个辅助电极22的分开距离s2由设在它们之间的第二绝缘膜32规定。分开距离s2与第二绝缘膜32的宽度相同。在图示的例子中，辅助电极的分开距离s2比主电极的分开距离s1大，但本专利技术不是仅限于此，例如，两个分开距离s1、s2相等也可以。如图3的符号n3所示，各个第三绝缘膜33的下侧边缘33a，通过从电阻体1的侧面1d延伸至电阻体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片电阻器，结构上具有：包括第一主面和在第一主面反对侧的第二主面的金属制的电阻体；在所述电阻体的所述第一主面上形成的树脂制的第一绝缘膜；和固定在所述电阻体上的防止绝缘膜剥离部件，其特征为，通过使所述防止绝 缘膜剥离部件与所述第一绝缘膜的一部分重叠，所述第一绝缘膜的所述一部分，进入所述防止绝缘膜剥离部件和所述电阻体的所述第一主面之间。

【技术特征摘要】
JP 2003-4-28 2003-1236551.一种芯片电阻器，结构上具有包括第一主面和在第一主面反对侧的第二主面的金属制的电阻体；在所述电阻体的所述第一主面上形成的树脂制的第一绝缘膜；和固定在所述电阻体上的防止绝缘膜剥离部件，其特征为，通过使所述防止绝缘膜剥离部件与所述第一绝缘膜的一部分重叠，所述第一绝缘膜的所述一部分，进入所述防止绝缘膜剥离部件和所述电阻体的所述第一主面之间。2.如权利要求1所述的芯片电阻器，其特征为，所述防止绝缘膜剥离部件包含有设在所述第一主面上而且互相分开的两个主电极，所述第一绝缘膜设在该两个主电极之间。3.如权利要求2所述的芯片电阻器，其特征为，结构上还具有在所述电阻体的所述第二主面上形成的树脂制的第二绝缘膜，所述防止绝缘膜剥离部件包含设在所述第二主面上且互相分开的两个辅助电极，各辅助电极与所述第二绝缘膜的一部分重叠。4.如权利要求3所述的芯片电阻器，其特征为，所述防止绝缘膜剥离部件包含在所述电阻体的侧面上的第三绝缘膜，所述第三绝缘膜与所述第一绝缘膜的一部分和所述第二绝缘膜的一部分重叠。5.如权利要求4所述的芯片电阻器，其特征为，所述第一绝缘膜、所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜由相同材料制成。6.如权利要求3所述的芯片电阻器，其特征为，它还具有覆盖所述主电极和所述辅助电极的钎焊料层。7.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：塚田虎之，
申请(专利权)人：罗姆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]