电阻器元件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种电阻器元件及其制造方法。制造本发明专利技术的电阻元件的方法包括：（Ａ）在基板（１０）上形成其顶层是多晶硅层（３０，３２）的多晶硅结构（５０）；（Ｂ）在多晶硅层（３０，３２）上形成金属层（７０）；（Ｃ）在金属层（７０）上形成上阻挡层（４２）；和（Ｄ）在工艺（Ｃ）之后，通过多晶硅层（３０，３２）和金属层（７０）之间的反应，从而形成其表面（Ｓ８０）被上阻挡层（４２）覆盖的硅化物层（８０）。根据本发明专利技术，能抑制半导体器件的电阻器元件的变化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件中的。尤其是，本专利技术涉及一种具有硅化物的。
技术介绍
随着MOS晶体管的最小化，栅电极或源和漏电极的电阻对于器件处理速度的影响变得显著。为了减小这些电极的电阻率，常规地已知利用硅化物的技术(例如，参见日本特开专利申请(JP-P 2001-223177A)和日本特开专利申请(JP-A-Heisei 7-201775))。应用硅化技术的栅电极具有包括多晶硅层和硅化物层的多晶硅金属硅化物(polycide)结构。通过在多晶硅膜和淀积在其上的金属膜之间的硅化工艺而形成硅化物层。这里，由于硅化过程进行得很快，所以通常难以形成均匀厚度的硅化物层。关于MOS晶体管的多晶硅金属硅化物栅电极，在日本特开专利申请(JP-P 2001-223177A)中描述了用于使多晶硅层和硅化物层的分界面均匀的技术。在该文献中描述的多晶硅金属硅化物栅电极包括多晶硅层、扩散阻挡层和硅化物层。多晶硅层形成在半导体基板的预定部分中。扩散阻挡层形成在多晶硅层的上表面上且是导电的，并防止了金属原子的扩散。硅化物层包括金属原子，并且形成在扩散阻挡层的上表面上。由于扩散阻挡层防止金属原子的扩散，因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造电阻器元件的方法，包括：（Ａ）在基板上形成多晶硅结构，该多晶硅结构的顶层是多晶硅层；（Ｂ）在所述的多晶硅层上形成金属层；（Ｃ）在所述的金属层上形成上阻挡层；和（Ｄ）在所述工艺（Ｃ）之后，通过所述多晶硅层和所述金属层之间的反应，形成硅化物层，所述硅化物层的上表面被所述上阻挡层所覆盖。

【技术特征摘要】
JP 2005-11-25 JP2005-3397451.一种制造电阻器元件的方法，包括(A)在基板上形成多晶硅结构，该多晶硅结构的顶层是多晶硅层；(B)在所述的多晶硅层上形成金属层；(C)在所述的金属层上形成上阻挡层；和(D)在所述工艺(C)之后，通过所述多晶硅层和所述金属层之间的反应，形成硅化物层，所述硅化物层的上表面被所述上阻挡层所覆盖。2.根据权利要求1的电阻器元件的制造方法，进一步包括(E)在所述多晶硅结构的侧面上形成侧壁；和(F)在所述工艺(E)之后，去除所述多晶硅层的一部分，从而形成由所述多晶硅结构的上表面和所述侧壁围绕的空间，其中在所述工艺(A)和(B)之间执行所述工艺(E)和(F)，在所述步骤(B)期间，在所述空间中形成所述金属层，形成所述硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：永井隆行，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]