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本发明涉及一种电阻器元件及其制造方法。制造本发明的电阻元件的方法包括：（Ａ）在基板（１０）上形成其顶层是多晶硅层（３０，３２）的多晶硅结构（５０）；（Ｂ）在多晶硅层（３０，３２）上形成金属层（７０）；（Ｃ）在金属层（７０）上形成上阻挡层（４...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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