温度补偿电阻器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种用于在半导体衬底上形成温度补偿电阻器的方法。在半导体衬底上形成电阻器元件。在电阻器元件的末端形成终端触点。形成温度补偿配置，所述温度补偿配置选自电阻器元件中与终端触点相间隔并且在终端触点中间的放大横向部分；以及与电阻器元件相接触、沿电阻器元件排列、与终端触点相间隔并且在终端触点中间的至少一个接触图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及集成电路技术，更具体地说，涉及。
技术介绍
砷化镓(“GaAs”)金属半导体场效应晶体管(“MESFET”)被广泛用于微波频率的放大、高速数字切换和各种其他高要求的应用领域。微波频率在卫星和无线通信领域中日益广泛的应用促进了对高性能GaAs晶体管和相关固态集成电路(“IC”)配置的需求。随着MESFET的功率输出能力继续增大，单个晶体管就可以提供过去由多个晶体管提供的功率，从而在相当程度上节省了成本，并且极大地减小了放大器模块的尺寸。可实现的功率处理能力和效率越高，MESFET放大器可能的应用范围就越大。因此，近年来在商业和军用领域中都努力提高GaAs器件的性能。传统的MESFET采用金属栅电极与GaAs衬底直接接触的结构，以形成被称为肖特基(Schottky)阻挡层的结构。施加到栅电极的电压影响栅极下的载流区域。这控制了晶体管的源级和漏极之间的电流流动，从而提供了放大或开关功能。场效应晶体管(“FET”)，更具体地说是高电子迁移率晶体管(“HEMT”)IC在许多领域有广泛的应用，包括航天和移动通信系统。当FET或HEMT IC经历温度变化时，其电性能特性可能本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成温度补偿电阻器的方法，包括：　　　　在半导体衬底上形成电阻器元件；　　　　在所述电阻器元件的末端形成终端触点；以及　　　　形成至少一个温度补偿配置，所述温度补偿配置选自：　　　　所述电阻器元件中在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的放大横向部分；以及　　　　与所述电阻器元件相接触、沿所述电阻器元件排列、在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的至少一个接触图案。

【技术特征摘要】
US 2004-11-5 10/982,0091.一种用于形成温度补偿电阻器的方法，包括在半导体衬底上形成电阻器元件；在所述电阻器元件的末端形成终端触点；以及形成至少一个温度补偿配置，所述温度补偿配置选自所述电阻器元件中在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的放大横向部分；以及与所述电阻器元件相接触、沿所述电阻器元件排列、在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的至少一个接触图案。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成至少一个温度补偿配置的步骤还包括形成所述电阻器元件中在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的多个放大横向部分。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成至少一个温度补偿配置的步骤还包括形成与所述电阻器元件相接触、沿所述电阻器元件排列、在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的多个接触图案。4.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成至少一个温度补偿配置的步骤还包括形成所述电阻器元件中在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的至少一个放大横向部分，以及与所述电阻器元件相接触、沿所述电阻器元件排列、在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的至少一个接触图案。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成至少一个温度补偿配置的步骤还包括形成所述电阻器元件中在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的多个放大横向部分，以及与所述电阻器元件相接触、沿所述电阻器元件排列、在所述终端触点中间并且与所述终端触点相间隔的多个接触图案。6.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成电阻器元件的步骤还包括形成外延电阻器元件。7.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体衬底是砷化镓衬底，所述电阻器元件是以砷化镓工艺形成的外延电阻器元件。8.一种用于形成温度补偿电阻器的方法，包括以砷化镓工艺在砷化镓半导体衬底上形成电阻器元件；在所述电阻器元件的末端形成金属终端触点；以及形成至少一个温度补偿配置，所述温度补偿配置选自所述电阻器元件中在所述金属终端触点中间并且与所述金属终端触点相间隔的放大横向部分；以及与所述电阻器元件相接触、沿所述电阻器元件排列、在所述金属终端触点中间并且与所述金属终端触点相间隔的至少一个金属接触图案。9.如权利要求8所述的方法，其中，所述形成至少一个温度补偿配置的步骤还包括形成所述电阻器元件中在所述金属终端触点中间并且与所述金属终端触点相间隔的多个放大横向部分。10.如权利要求8所述的方法，其中，所述形成至少一个温度补...

【专利技术属性】
技术研发人员：楚尔宏帕克，
申请(专利权)人：安捷伦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]