由半导体陶瓷制成的NTC热敏电阻元件制造技术

本发明专利技术公开了一种由半导体陶瓷制成的ＮＴＣ热敏电阻元件，该元件包括半导体陶瓷基体、一对镀铬铜质引脚以及形成于基体表面的外部电极及包封材料，其中半导体陶瓷基体包含如下物质：氧化硼；从Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｙ中选择的至少一种金属的第一氧化物；以及从Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ中选择的至少一种过渡族金属的第二氧化物；掺入的氧化硼数量按还原的原子硼计满足的关系如下：０．００１≤Ｂ／β≤０．５０以及０．５≤Ｂ／（α－β）≤１０．０。非过渡族金属氧化物的掺入量满足下列关系：０．１≤δ≤０．５。本发明专利技术产品具有低能源消耗、低窑炉维护成本等优点。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种由半导体陶瓷制成的NTC热敏电阻元件，特别涉及由具有负温度电阻系数的半导体陶瓷制成的NTC热敏电阻元件。
技术介绍
具有负温度电阻系数(以下称为NTC特性)(这意味着当温度变化时电阻会降低)的半导体陶瓷制成的NTC热敏电阻元件已经被用于抑制电路的浪涌电流或者调节液晶显示器对比度的温度补偿模块。考虑到NTC特性的优点，以过渡族金属氧化物为主的半导体陶瓷一般用于这类半导体元件。但是为了使过渡族金属氧化物基的陶瓷成为半导体，一般必须在1300℃或更高的温度下烧结。在如此高的温度下处理具有如下缺点能源消耗大；窑炉维护成本高且容易损坏。因此需要一种能够在较低温度下烧结的含过渡族金属氧化物的半导体陶瓷。为了克服上述缺陷，“由硼导电液相煅烧制备的半导体化陶瓷”一文揭示了一种改进的技术。简而言之，通过将氮化硼加入过渡族金属氧化物降低了陶瓷呈现半导化特性的温度。该文献报道，在1100℃左右的煅烧温度下，加入氮化硼的陶瓷可以变得具有半导体特性。
技术实现思路
针对已有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种半导体陶瓷制成的NTC热敏电阻元件，它可以通过1000℃或以下的烧结温度制得本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由半导体陶瓷制成的ＮＴＣ热敏电阻元件，该每一单片元件包括半导体陶瓷基体、一对引脚、外部电极以及包封材料，其特征在于：其中半导体陶瓷基体包含如下物质：氧化硼，从Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｙ中选择的至少一种金属的第一氧化物以及从Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ中选择的至少一种金属的第二氧化物，掺入的氧化硼数量按还原的原子硼计满足下列关系：０．００１≤Ｂ／β≤０．５０以及０．５≤Ｂ／（α－β）≤１０．０其中α表示半导体陶瓷中所含Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｙ的原子 总数，而β表示半导体陶瓷中所含Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ的原子总数，Ｂ表示元素硼的原子数。

【技术特征摘要】
1.一种由半导体陶瓷制成的NTC热敏电阻元件，该每一单片元件包括半导体陶瓷基体、一对引脚、外部电极以及包封材料，其特征在于其中半导体陶瓷基体包含如下物质氧化硼，从Mn、Cu、Zn、Al、Zr、Y中选择的至少一种金属的第一氧化物以及从Fe、Co、Ni中选择的至少一种金属的第二氧化物，掺入的氧化硼数量按还原的原子硼计满足下列关系0.001≤B/β≤0.50以及0.5≤B/(α-β)≤1...

【专利技术属性】
技术研发人员：苗明清，钱朝勇，周欣山，沈十林，
申请(专利权)人：上海维安热电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]