一种高分子基ESD防护元件及其制造方法技术

本发明专利技术一种高分子基ＥＳＤ防护元件及其制造方法涉及以高分子树脂为基体，导体／半导体／绝缘体粒子为填充物的共混复合材料为主要原材料的电子元件及其制造方法。一种高分子基ＥＳＤ防护元件，它由芯材和贴覆在芯材两侧的金属箔片构成，其以热塑性高分子材料为基材，在其中按照高分子聚合物２５～４５％、导电粒子１５～４０％、半导体粒子１５～３５％、绝缘粒子０～１５％、加工助剂０．１～１０％，通过共混获得芯材，其中，所述的热塑性高分子材料为聚乙烯，聚丙烯，聚氯乙烯，聚二氟乙烯聚合物中的一种及它们中一种以上聚合物的共混物。具有加工方法更加简单，同时由于采用辐照方法进行交联，其前期加工后所得芯片可以方便地保存。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一种高分子基ESD防护元件及其制造方法涉及以高分子树脂为基体，导体/半导体/绝缘体粒子为填充物的共混复合材料为主要原材料的电子元件及其制造方法。
技术介绍
随着电子工业及纳米技术的日益发展，静电放电(ESD，Electrostatic Discharge)的危害突出显现。一方面，集成电路的集成密度越来越高，相应的耐静电击穿电压及能力也越来越低；另一方面，表面电阻率较高的塑料和橡胶制品的广泛应用以及现代生产过程的高速化，使静电足以积累到很高的程度，具备极大的破坏性。针对此问题一方面采用必要措施减少ESD产生可能，另一方面在电路加入静电防护元件(ESD Protection Device)，对静电放电敏感(ESDS，ESD-sensitive Device)器件提供适当的输入保护，使其更合理地避免ESD的伤害。ESD防护元件与被保护元件并联使用，正常工作状态下，ESD保护元件本身处于高电阻状态，所有的信号或电流不会在该元件上通过，因此不影响被保护元件的正常工作。当ESD产生时，瞬态的高电压高电流，使得ESD防护元件在极短的时间内由高电阻状态变为低电阻状态(即导通状态)，电流及本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高分子基ＥＳＤ防护元件，它由芯材和贴覆在芯材两侧的金属箔片构成，其特征在于：以热塑性高分子材料为基材，在其中按照一定比例添加混合导体粒子、半导体粒子以及绝缘粒子辅以加工助剂通过共混获得芯材，其中，所述的热塑性高分子材料为聚乙烯，聚丙烯，聚氯乙烯，聚二氟乙烯聚合物中的一种及它们中一种以上聚合物的共混物；所述导体粒子是金属粉包括银粉、铝粉、镍粉，或碳黑中的一种或几种组合的混合物；所述半导体粒子是氧化锌、碳化硅，碳化硅中的绿碳化硅或黑碳化硅中的一种或几种组合的混合物；所述绝缘粒子为二氧化硅、氧化铝中的一种或其组合物；所述的加工助剂为无机填料的分散剂、抗氧剂、偶联剂及交联促进剂，其中分散剂是石蜡、...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：连铁军，胡晓文，侯李明，程真，吴国臣，黄琼，
申请(专利权)人：上海维安热电材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]