含有具有仲氨基的酚醛清漆聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物制造技术

本发明专利技术的目的在于提供具有良好的硬掩模功能、并能够形成良好的图案形状的抗蚀剂下层膜。本发明专利技术提供了用于光刻工序的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有通过具有仲氨基的芳香族化合物与醛化合物的反应而得的酚醛清漆聚合物。酚醛清漆聚合物为含有式(1)所示的结构单元的聚合物。本发明专利技术还提供了半导体装置的制造方法，包括下述工序：利用本发明专利技术的抗蚀剂下层膜形成用组合物在半导体基板上形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成硬掩模的工序；进而在该硬掩模上形成抗蚀剂膜的工序；通过光或电子束的照射和显影来形成抗蚀剂图案的工序；利用所形成的抗蚀剂图案对硬掩模进行蚀刻的工序；利用图案化了的硬掩模对该抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；及利用图案化了的抗蚀剂下层膜对半导体基板进行加工的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201480070504

【技术保护点】
一种用于光刻工序的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有酚醛清漆聚合物，所述酚醛清漆聚合物是通过具有仲氨基的芳香族化合物与醛化合物的反应而得的。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.26 JP 2013-2697651.一种用于光刻工序的抗蚀剂下层膜形成用组合物，含有酚醛清漆聚合物，所述酚醛清漆聚合物是通过具有仲氨基的芳香族化合物与醛化合物的反应而得的。2.如权利要求1所述的抗蚀剂下层膜形成用组合物，酚醛清漆聚合物为含有式(1)所示的结构单元的聚合物，式(1)中，R1为取代氢原子的取代基，且为卤素基、硝基、氨基、羟基、碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基或这些基团的组合，这些基团的组合可以含有醚键、酮键或酯键；R2为碳原子数1～10的烷基、碳原子数2～10的烯基、碳原子数6～40的芳基或这些基团的组合，这些基团的组合可以含有醚键、酮键或酯键；R3为氢原子、碳原子数6～40的芳基或杂环基，所述芳基和杂环基可被卤素基、硝基、氨基、甲酰基、羧基、羧酸烷基酯基、羟基中的一种或多种取代；R4为氢原子、碳原子数1～10的烷基、碳原子数6～40的芳基或杂环基，所述烷基、芳基和杂环基可被卤素基、硝基、氨基、甲酰基、羧基、羧酸烷基酯基、羟基中的一种或多种取代；R3和R4也可以与它们所结合的碳原子一起形成环；n为0或1的整数，在n为0时m为0～3的整数，在n为1时m为0～5的整数。3.如权利要求2所述的抗蚀剂下层膜形成用组...

【专利技术属性】
技术研发人员：西卷裕和，桥本圭祐，坂本力丸，远藤贵文，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP