【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电阻器,尤指一种低电阻温度系数的芯片电阻器 及其制法。
技术介绍
因应各种电子装置便携化、微型化的发展趋势,经常使用于电路 中以供量测两端电位差的芯片电阻器,也随之越来越趋于微型化,而为了减小量测误差与提高检出的电流值,通常需要具备电阻值0.02Q 至10Q 、额定容许功率0. 1W以上的低电阻高功率特性,并且必须满足 减小电阻温度系数(TCR)的要求,在目前通常采用印刷或镀膜技术的现 有制程技术之下,存在难以廉价大量生产的实际困难。中国台湾公告第350071号专利公开一种芯片电阻器,是在陶瓷基 板上利用网印技术印刷电阻膜(材料为玻璃和导电粒子混合成的电阻 胶),再经由干燥、高温烧结等制程而成型,之后采用激光整饰法熔解 部分区域形成沟槽以调整其电阻值,最后再利用电镀制程制作电极。 然而,由于该电阻膜是以印刷方式形成,其厚度的均匀性难以控制, 且因为高温烧结的扩散变异影响,致使该电阻膜的电阻值变化较大。 尤其,当前述该芯片电阻器应用于高频环境时,因电阻膜的孔隙率高、 结构松散,导致高频信号损耗较大,所以无法适用于高频产品中。另一种采用镀膜技术的制 ...
【技术保护点】
一种芯片电阻器的制法,包括: 提供基材及电阻体; 通过一热熔接合层相对接合该基材与该电阻体;以及 覆盖一保护层至该电阻体局部表面,以使该电阻体表面未覆盖该保护层的部分区隔成二电极区。
【技术特征摘要】
1.一种芯片电阻器的制法,包括提供基材及电阻体;通过一热熔接合层相对接合该基材与该电阻体;以及覆盖一保护层至该电阻体局部表面,以使该电阻体表面未覆盖该保护层的部分区隔成二电极区。2. 根据权利要求1所述的芯片电阻器的制法,其中,该热熔接合 层为相互间隔的至少二焊块。3. 根据权利要求2所述的芯片电阻器的制法,其中,是由焊接材 料预先涂布至该基材表面,于贴合该电阻体后,经热熔还原成接合该 基材与该电阻体的该焊块。4. 根据权利要求2所述的芯片电阻器的制法,其中,是由焊接材 料预先涂布至该电阻体表面,于贴合该基材后,经热熔还原成接合该 基材与该电阻体的该焊块。5. 根据权利要求3或4所述的芯片电阻器的制法,其中,该焊接 材料为银膏。6. 根据权利要求3或4所述的芯片电阻器的制法,其中,该焊接 材料经烘烤热熔并经干燥而接合固定该基材与该电阻体。7. 根据权利要求1所述的芯片电阻器的制法,其中,该保护层覆 盖至该电阻体的中段区域表面,以使该电阻体表面对应中段区域的两 端区隔成二电极区。8. 根据权利要求7所述的芯片电阻器的制法,还包括于该电阻体 的二电极区表面分别形成电极。9. 根据权利要求8所述的芯片电阻器的制法,其中,该电极是以 滚镀方式形成至该电极区表面。10. 根据权利要求1所述的芯片电阻器的制法,其中,该基材...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡荣泽,
申请(专利权)人:斐成企业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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