对每个存储块具有保护功能的非易失性半导体存储器件制造技术

提供一种对每个存储块具有保护功能的非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件包含：由多个存储块构成的存储单元阵列，接口，写入电路，和读取电路。保护标记被写入到存储块中。读出的保护标记可以通过接口输出到外部器件。由接口输入写入命令时，在被选择的块的保护标记具有第一值时写入电路执行写入命令，而保护标记具有第二值时不执行写入命令。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可电编程的非易失性半导体存储器件，更详细地说，涉及带有能够保护各存储块不被改写或擦除的保护功能的快擦写存储器(又称闪存)。
技术介绍
快擦写存储器通过改变存储单元晶体管浮置栅的电荷量(擦除/写入操作)来改变阈值电压，从而存储数据。例如，负阈值电压相当于二进制的1。正阈值电压相当于二进制的0。快擦写存储器已经发展为ROM，其中的数据可电改写。近年来，以NAND快擦写存储器为代表的快擦写存储器正成为磁存储介质的替代品。这种存储器件的例子是数码相机中用作存储介质的快擦写存储器卡，或手机中作为用户数据存储元件的快擦写存储器。随着信息科技的发展，如何保证安全性正备受关注。例如，引进使用手机的充值/付费系统时要避免系统中任何基本信息发生改变。这样的话，NAND快擦写存储器中的部分数据必须避免发生改变。在NAND快擦写存储器中，对每一页面(例如，528字节)执行读/写，对每一个块(由多个页面构成)进行擦除。在使用这种NAND快擦写存储器的系统(例如，存储卡)中，通常对每个存储块进行文件数据管理。因此，在许多NAND快擦写存储器系统中，每个存储块中的文件信息在通电后被读出。在高速缓本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性半导体存储器件，包含：多个由可电编程的非易失性半导体存储单元构成的存储块；由多个上述存储块构成的存储单元阵列；与外部器件通信的接口；根据输入到上述接口的地址和数据写入命令对被选择的存储块写入数据的写入电路，从上述接口输入上述写入命令时，在上述被选择的存储块的保护标记具有第一值时上述写入电路执行上述写入命令，而上述保护标记具有第二值时不执行上述写入命令；以及根据输入到上述接口的地址读取存储在上述被选择的存储块的一部分上的保护标记的读取电路，被上述读取电路读出的上述保护标记能够通过上述接口输出到外部器件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-9-26 336058/20031.一种非易失性半导体存储器件，包含多个由可电编程的非易失性半导体存储单元构成的存储块；由多个上述存储块构成的存储单元阵列；与外部器件通信的接口；根据输入到上述接口的地址和数据写入命令对被选择的存储块写入数据的写入电路，从上述接口输入上述写入命令时，在上述被选择的存储块的保护标记具有第一值时上述写入电路执行上述写入命令，而上述保护标记具有第二值时不执行上述写入命令；以及根据输入到上述接口的地址读取存储在上述被选择的存储块的一部分上的保护标记的读取电路，被上述读取电路读出的上述保护标记能够通过上述接口输出到外部器件。2.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于上述保护标记存储在每个存储块的多个存储单元中，在读取上述保护标记时，根据多数理论执行错误纠正。3.如权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于上述写入电路根据输入到上述接口的地址和保护标记写入命令，对上述被选择的存储块的上述一部分写入保护标记。4.一种非易失性半导体存储器件，包含多个由可电编程的非易失性半导体存储单元构成的存储块；由多个上述存储块构成的存储单元阵列；与外部器件通信的接口；根据输入到上述接口的地址和擦除命令对被选择的存储块中的数据进行擦除的擦除电路，从上述接口输入上述擦除命令时，在上述被选择的存储块中的保护标记具有第一值时上述擦除电路执行上述擦除命令，而上述保护标记具有第二值时不执行上述擦除命令；以及根据输入到上述接口的地址读取存储在上述被选择的存储块的一部分上的保护标记的读取电路，被上述读取电路读出的上述保护标记能够通过上述接口输出到外部器件。5.如权利要求4所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于上述保护标记存储在每个存储块的多个存储单元中，在读取上述保护标记时，根据多数理论执行错误纠正。6.如权利要求4所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于还包含根据输入到上述接口的地址和保护标记写入...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中智晴，河合矿一，汉德克N卡迪尔，
申请(专利权)人：株式会社东芝，三因迪斯克公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]