用于多列双列直插式存储模块（DIMM）的存储列解码器制造技术

本发明专利技术涉及用于多列双列直插式存储模块（ＤＩＭＭ）的存储列解码器，该多列双列直插式存储模块有安装在印刷电路板（ＰＣＢ）上的预定数量个ＤＲＡＭ存储器芯片，其中每个ＤＲＡＭ存储器芯片包括通过存储列选择信号（ｒ）进行选择的预定数量个叠型存储裸片，其中存储列解码器响应施加到双列直插式模块（ＤＩＭＭ）中的外部选择信号而产生存储列选择信号（ｒ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及用于双列直插式存储模块(DIMM)的存储列解码器(Memory Rank Decoder)，特别地还涉及用于寄存双列直插式存储模块(DIMM)的存储列解码器。
技术介绍
提供存储模块用于提高计算机系统的存储能力。最初在个人计算机中采用单列直插式存储模块(SIMM)以增加存储容量。单列直插式存储模块只在其印刷电路板(PCB)的一个面上包括DRAM芯片。用于连接单列直插式存储模块(SIMM)的印刷电路板上的触点在模块的两个面上是冗余的。SIMM的第一种变形有三十个引脚并提供8位数据(在奇偶校验方案中为9位)。SIMM的第二种变形(被称为PS/2)包括72个引脚并提供32位数据(在奇偶校验方案中为36位)。由于在一些处理器中的存储模块有不同的数据总线宽度，有时多个SIMM模块成对地安装以插入一个存储列(memory rank)。例如，在数据总线宽度为32位的80386或80486系统中，一个存储列需要四个30引脚的SIMM，或者一个72引脚的SIMM。由于奔腾系统具有64位的数据总线宽度，则需要两个72引脚的SIM。为了安装单列直插式存储模块(SIMM)，该模块被插本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双列直插式存储模块（ＤＩＭＭ），其具有安装在印刷电路板（ＰＣＢ）上的预定数量个存储器芯片，其中每个存储器芯片包括通过存储列选择信号（ｒ）进行选择的预定数量（Ｍ）个叠型存储裸片，其中存储列解码器响应施加到双列直插式存储模块的外部选择信号而产生存储列选择信号（ｒ）。

【技术特征摘要】
US 2004-12-10 11/0101821.一种双列直插式存储模块(DIMM)，其具有安装在印刷电路板(PCB)上的预定数量个存储器芯片，其中每个存储器芯片包括通过存储列选择信号(r)进行选择的预定数量(M)个叠型存储裸片，其中存储列解码器响应施加到双列直插式存储模块的外部选择信号而产生存储列选择信号(r)。2.如权利要求1所述的双列直插式存储模块，其中双列直插式存储模块为寄存双列直插式存储模块，其具有命令和地址缓冲器芯片，用于缓冲施加到双列直插式存储模块(DIMM)的命令和地址信号。3.如权利要求2所述的双列直插式存储模块，其中命令和地址缓冲器芯片进一步缓冲施加到双列直插式存储模块(DIMM)的外部时钟信号。4.如权利要求2所述的双列直插式存储模块，其中命令和地址缓冲器芯片通过命令和地址总线连接到安装在印刷电路板(PCB)上的所有存储器芯片。5.如权利要求2所述的双列直插式存储模块，其中存储列解码器集成在所述命令和地址缓冲器芯片中。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：S拉古拉姆，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]