多功能芯片插座制造技术

一种芯片插座，特别适合用于ＲＡＭ芯片的数据抗干扰脱机存储和数据写保护。现有芯片本身无脱机抗干扰存储和写保护功能，现有插座也只起连接作用。本实用新型专利技术是在芯片插座中装入控制开关（Ｋ１）、（Ｋ２），不间断电源（Ｅ），电容（Ｃ），电阻（Ｒ）和二极管（Ｄ）。正常时开关（Ｋ！）置于（１）的位置、开关（Ｋ２）置于（３）的位置。当开关（Ｋ１）置于（２）的位置时，片选信号失效，输入输出呈高阻态即可实现抗干扰脱机存储。开关（Ｋ２）置（４）的位置时，ＲＡＭ芯片写信号被断开，ＲＡＭ被写保护。（*该技术在1998年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

一种芯片插座，特别适合用于RAM芯片的写保护和数据抗干扰脱机存储。现有RAM芯片本身都不具备数据脱机抗干扰存储和写保护功能，而现有的芯片插座只能起到连接作用。这对许多实际应用场合来说很不方便或根本无法达到预期的目的。(例如工业现场数据采集、数据转储)本技术的目的在于设计一种简便的RAM芯片插座，使RAM芯片既能脱机抗干扰存储，又能实现写保护。它成本低，工作可靠，易实现。本技术的工作原理当把RAM芯片插在多功能插座上使用时，RAM芯片的片选信号受开关(K1)的控制，写信号受开关(K2)的控制，RAM芯片的电源端通过二极管和电阻与多功能插座上的电源正极相连，RAM芯片地电位端与多功能插座上的电源负极相连，当RAM中内容需要脱机存储时，开关(K1)置于(2)的位置，片选信号失效，RAM芯片呈非选态，并且RAM芯片由多功能插座中电源供电，所以RAM芯片与多功能插座一起脱机后，RAM中内容不会丢失。RAM芯片正常读／写时(K1)置于(1)位置。需要防止RAM芯片中内容被非法或意外的修改时，将开关(K2)置于(4)的位置，RAM芯片的写信号被置成高电平并与外界断开，从而时现了写保护，正常读／写时(K2)置于(3)的位置。本技术的优点是方法简单，工作可靠、稳定，它是利用现有芯片插座进行改造，因此成本低，易推广，效果好。图(1)是电路原理图CZ普通芯片插座，E电源，R电阻，C电容，D二极管，K1开关K1，K2开关K2，Vss与RAM芯片地电位端相对应的那个管脚，Vcc与RAM芯片电源端相对应的那个管脚，CS与RAM芯片片选信号管脚对应的那个管脚，WRu和Wd分别是与RAM芯片写信号相对应那个管脚的上半部分和下半部分。当RAM芯片插在多功能插座上时，WRu与RAM芯片写信号管脚相接，WRd与外界电路相接。图(2)是6264RAM芯片与多功能芯片插座连接实施例。CZ28脚多功能芯片插座，E4.5V直流电源，C0.01vf电容，R300欧姆电阻，D二极管，K1开关，K2开关，27u28管脚多功能插座第27脚的上半部分与RAM芯片写信号相接，27d28管脚多功能插座第27脚的下半部分与外界电路相接。本技术的实现方法是按图(1)所示电路制板后，将电源(E)、电容(C)、电阻(R)、二极管(D)、开关(K1)、开关(K2)焊接在电路板上，一同装入芯片插座中。把多功能插座中与RAM芯片写信号相对应的那个管脚断开后，用还氧树脂绝缘，再将其两端连上导线与开关(K2)相接。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多功能芯片插座，其特征在于：由开关（Ｋ１）、开关（Ｋ２）、电源（Ｅ）、二极管（Ｄ）、电容（Ｃ）、电阻（Ｒ）构成的数据抗干扰脱机存储和写保护ＲＡＭ芯片插座，多功能插座中与ＲＡＭ芯片的片选信号管脚相对应的那个管脚接开关（Ｋ１），与ＲＡＭ芯片的写信号相对应的那个管脚断开后，中间用还氧树脂绝缘，再把其两端连上导线，然后与开关（Ｋ２）相接，电源和电容并联后，再与电阻和二极管串联，接在与ＲＡＭ芯片的电源端和地端相对应的那两个插座管脚之间；ＲＡＭ芯片正常读写时（Ｋ１）置于（１）的位置，（Ｋ２）置于（３）的位置，需要数据脱机抗干扰存储时，开关（Ｋ１）置于（２）的位置，ＲＡＭ芯片处于非选态，需要数据写保护时，开关（Ｋ２）置于（４）的位置，写信号与外界断开，ＲＡＭ芯片被写保护。

【技术特征摘要】
1.一种多功能芯片插座，其特征在于由开关(K1)、开关(K2)、电源(E)、二极管(D)、电容(C)、电阻(R)构成的数据抗干扰脱机存储和写保护RAM芯片插座，多功能插座中与RAM芯片的片选信号管脚相对应的那个管脚接开关(K1)，与RAM芯片的写信号相对应的那个管脚断开后，中间用还氧树脂绝缘，再把其两端连上导线，然后与开关(K2)相接，电源和电容并联后，再与电阻和二极管串联，接在与R...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾晓娟，
申请(专利权)人：贾晓娟，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]