【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种非易失性存储器阵，具体地说为一种适合于同时写入和擦除的非易失性存储器阵列。
技术介绍
碰撞电离为人所知已有多年。授予B.Eitan的美国专利第4,432,075号及授予Hayashi等人的美国专利第4,821,236号叙述了一种与一电荷发生器邻接的EEPROM晶体管，该电荷发生器在该EEPROM的附近产生一衬底电流，在该EEPROM的表面下的电极附近产生过剩电荷或空穴，类似于空间电荷。假定产生的空穴向该EEPROM的其中一个电极加速，由此产生的高能次级电子足以贯穿在该衬底上的栅极氧化物并变成注入到一导电浮动栅内。对于很小的EEPROMs来说，该浮动栅通过带到带隧道效应而变成带电，该效应使到无需在该浮动栅上设置一控制极。授予R.Sinks的美国专利第5,126,967号及美国专利第4,890,259号叙述了一种由可以储存模拟波形的非易失性晶体管构成的存储器阵列。EEPROM晶体管的直接记录模拟波形而无需模数转换的能力导致一些新的应用，诸如在神经网络中的用途。这已在美国专利第6,125,053号中揭示，其中C.Dioris和C.Mead叙述了利用...
【技术保护点】
一种用于同时写入和擦除数据的非易失性存储器阵列，其包括：多条平行的字线以及多条位线和程序线，所述字线、位线和程序线配置成可选择地施加偏压；多个在所述字线之间成行地排列且接受所述偏压的存储单元，每一存储单元具有一非易失性存储晶体管和一邻接的电流注射器，所述字线与多个平行的多晶硅板成电容关系，而每一多晶硅板的一部分将所述字线感生的电压传送到在不同行中的一存储晶体管和一电流注射器；以及由此，通过字线电压就可写入与一第一行相关联的存储单元，而在一第二行中的存储单元也可以通过所述字线电压同时地进行擦除。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-2-4 10/773,0591.一种用于同时写入和擦除数据的非易失性存储器阵列，其包括多条平行的字线以及多条位线和程序线，所述字线、位线和程序线配置成可选择地施加偏压；多个在所述字线之间成行地排列且接受所述偏压的存储单元，每一存储单元具有一非易失性存储晶体管和一邻接的电流注射器，所述字线与多个平行的多晶硅板成电容关系，而每一多晶硅板的一部分将所述字线感生的电压传送到在不同行中的一存储晶体管和一电流注射器；以及由此，通过字线电压就可写入与一第一行相关联的存储单元，而在一第二行中的存储单元也可以通过所述字线电压同时地进行擦除。2.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于每一非易失性存储晶体管与另一非易失性存储晶体管成一对称对。3.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于自所述电流注射器流入所述存储晶体管的电流导致带电粒子经碰撞电离产生，所述带电粒子储存于所述存储晶体管的控制极。4.如权利要求3所述的存储器阵列，其特征在于自所述电流注射器的电流通过一带有一外施偏压的电极测量。5.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于每一所述电流注射器具有在一最接近的范围内相互作用的一快速二极管和一控制晶体管以便使若干经碰撞电离产生的带电粒子储存于所述存储晶体管内。6.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于所述非易失性存储晶体管与所述邻接的电流注射器成一并排的关系。7.如权利要求6所述的存储器阵列，其特征在于所述非易失性存储晶体管与所述邻接的电流注射器通过一隔离区相隔开。8.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于每一存储单元具有至少两相互连接的浮动栅晶体管。9.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于所述存储器阵列的不同行具有不同的掺杂密度以便在不同行中产生不同的阈值电压。10.如权利要求9所述的存储器阵列，其特征在于具有相同阈值电压的存储单元设置于一行内，而不同行具有不同的阈值电压。11.如权利要求10所述的存储器阵列，其特征在于不同行的存储晶体管生成一系列的阈值电压。12.如权利要求1所述的存储器阵列，其特征在于每一存储单元与一电通信的用于测量所述存储单元...
【专利技术属性】
技术研发人员：B洛杰克，
申请(专利权)人：爱特梅尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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