一种集成电路，其包括： 存储器阵列，其包括多个阵列线； 一定数量的阵列线驱动器电路，其与所述多个阵列线耦合，其中所述数量不同于２的整数幂；及 控制电路系统，其经配置以选择所述阵列线驱动器电路中的一者。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包含存储器阵列的半导体集成电路，且在较佳实施例中，本专利技术特定 而言涉及单片式三维存储器阵列。
技术介绍
半导体处理技术及存储器单元技术的最近发展使在集成电路存储器阵列中所获 得的密度一直持续提高。例如，某些无源元件存储器单元阵列(例如，那些包含反熔 丝单元的)可制成使字线接近于最小形体尺寸(F)及使特定字线互连层具有最小的形 体间隔、并同时还使位线接近最小形体宽度及使特定位线互连层具有最小形体间隔。 此外，已制成了具有多于一个存储器单元平面或层的三维存储器阵列-其在每一存储器 平面上均构建所谓的4FZ个存储器单元。实例性三维存储器阵列阐述于颁于Johnson 标题为Vertically Stacked Field Programmable Nonvolatile Memory and Method of Fabrication的第6,034,882号美国专利中及颁于Zhang标题为Three-Dimensional Read-Only Memory Array的第5,835,396号美国专利中。在每一存储器平面上构建此种具有4F2个存储器单元的三维存储器阵列对设计和 布局能够与此类具有紧密间距的阵列线面接的解码和存储器层面接的电路系统提出了挑战。
技术实现思路
本专利技术揭示一种用于存储器线驱动器非二进制群组的解码电路。于一实施例中， 所揭示的集成电路包括二进制解码器和可操作以执行非二进制算术运算的电路系统， 其中将所述非二进制算术运算的结果作为输入提供至所述二进制解码器。于另一实施例中，所揭示的集成电路包括存储器阵列，其包括多个阵列线；2的非整数幂数量 的阵列线驱动器电路；和控制电路系统，其经配置以选择所述阵列线驱动器电路中的 一者。所述控制电路系统可包括二进制解码器和执行非二进制算术运算的前置解码器 部分。本文中所述概念可单独或以组合形式使用。以上是对本专利技术的概述，且因此必然地包含对细节的简略、 一般化和略去。因此， 所属领域的技术人员将了解，以上概述仅为例示性的，而决非旨在限定本专利技术。根据 下文所述的详细说明，本专利技术的其它方面、专利技术性特征和优点将变得显而易见，这些 方面、专利技术性特征和优点仅由权利要求书来界定。附图说明所属领域的技术人员参看附图可更加清楚地理解本专利技术及其诸多目的、特征和优点。图1是表示具有分段字线布置的三维存储器阵列的示意图。图2是表示三维存储器阵列的字线层和位线层的俯视图，其显示2:1交错的字线 段，其中通至区块的一半所述字线段的垂直连接均在所述区块的左侧上，而通至所述 区块的另一半所述字线段的垂直连接均在所述区块的右侧上。另外，来自两个毗邻区 块的字线段共用每一垂直连接。图3是表示多头字线解码器的示意图，所述多头字线解码器具有垂直于字线段横 移的偏置线且具有平行于字线段横移的行选择线。图4是表示多头字线解码器的示意图，所述多头字线解码器具有诸如图3中所绘 示的跨越存储器阵列的至少一部分间隔开的多个四头驱动器电路。图5是用于构建多个阵列线驱动器晶体管的传统电路布局的图式。图6是用于构建并入有弯曲栅极晶体管的多个晶体管的电路布局的图式。图7是用于构建并入有弯曲栅极晶体管的多个阵列线驱动器晶体管的电路布局的 图式。图8是如图3中所示的四头字线驱动器电路的实例性电路布局的图式。图9是显示如图3中所示四头字线驱动器电路的实例性电路布局的某些层的图式。图10是显示如图3中所示四头字线驱动器电路的实例性电路布局的某些层的图式。图11是对多头阵列线驱动器电路有用的驱动器晶体管相对布置的方框图。 图12是对多头阵列线驱动器电路有用的驱动器晶体管相对布置的方框图。 图13是对多头阵列线驱动器电路有用的驱动器晶体管相对布置的方框图。 图14是用于构建并入有弯曲栅极晶体管的多个阵列线驱动器晶体管的电路布局 的图式。图15是用于构建并入有弯曲栅极晶体管的多个阵列线驱动器晶体管的电路布局 的图式。图16是用于构建并入有弯曲栅极晶体管的多个阵列线驱动器晶体管的电路布局 的图式。图17是用于构建并入有弯曲栅极晶体管的多个阵列线驱动器晶体管的电路布局 的图式。图18是较佳实施例的集成电路的图式。图19是较佳实施例的部分解码映射图的图式。图20是较佳实施例的经压缩解码映射图的图式。在不同图式中，使用相同的参考符号来指示相似或相同的物项。具体实施方式现在参看图1，其显示表示具有分段字线布置的三维存储器阵列的示意图。每一 字线均是由存储器阵列的至少一个且有利地一个以上字线层上的一个或一个以上字线 段所形成。例如，第一字线是由设置在存储器阵列的一个字线层上的字线段130且由 设置在另一字线层上的字线段132所形成。字线段130、 132通过垂直连接128来连接 以形成第一字线。垂直连接128也提供通至设置于另一层(例如，半导体衬底内)内的 驱动器装置126的连接路径。来自行解码器(未显示)的已解码输出122大致平行于字 线段130、 132横移且在被选中时，通过装置126将字线段130、 132耦合至大致垂直 于所述字线段横移的已解码偏置线124。图中也显示字线段131、 133由垂直连接129来连接以形成第二字线并提供通至 驱动器装置127的连接路径。当被选中时，来自行解码器的另一己解码输出123通过 装置127将这些字线段131、 133耦合至已解码偏置线124。如下一个图中所述，垂直 连接128、 129较佳设置于两个存储器区块之间，且一个区块内的字线与毗邻区块中的 字线共用。也就是说，字线段130设置于一个存储器区块且与毗邻区块中的另一字线 段134共用。图2是表示三维存储器阵列(诸如前一图中所述)的字线层和位线层的俯视图。 图中显示存储器区块182、 184分别包含多个位线183、 185且具有2:1交错字线段。 通至区块的一半字线段的垂直连接在所述区块的左侧上(例如，字线段187和垂直连接 189)，而通至所述区块的另一半字线段的垂直连接在所述区块的右侧上(例如，字线段 186和垂直连接190)。另外，每一垂直连接用于两个毗邻区块的每一者中的字线段。 例如，垂直连接190连接阵列区块182中的字线段186且连接阵列区块184中的字线 段188。也就是说，每一垂直连接(，例如，垂直连接190)由两个毗邻区块的每一者中 的字线段共用。如所预期，然而，第一和最后阵列区块的相应外部垂直连接仅可 用于所述第一和最后阵列区块中的字线段。例如，如果区块184是形成存储器阵列的 多个区块中的最后一个区块，则其外部垂直连接(例如，垂直连接194)仅可用于区块 184内的字线段192，且因此不能由贯穿所述阵列剩余部分的两个字线段共用。通过交错所示字线段，垂直连接的间距为个别字线自身间距的两倍。这特别有利， 因为针对许多无源元件存储器单元阵列可达到的字线间距明显小于针对许多通孔结构 (可能用来形成垂直连接)可达到的。如图1中所述，其它字线层和位线层可以与所述的那些相同的方式来构建且因此 可共用相同的垂直连接。可在Scheuerlein的第US2004-0190360号美国公开专利申请 案 Word Line Arrangement Having Multi-Layer Word Line Segments f本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1、一种集成电路，其包括存储器阵列，其包括多个阵列线；一定数量的阵列线驱动器电路，其与所述多个阵列线耦合，其中所述数量不同于2的整数幂；及控制电路系统，其经配置以选择所述阵列线驱动器电路中的一者。2、 如权利要求l所述的集成电路，其中所述数量包括六。3、 如权利要求1所述的集成电路，其中所述控制电路系统可操作以在解码映射 图中留下孔。4、 如权利要求1所述的集成电路，其中所述控制电路系统包括二进制解码器部 分，和可操作以执行非二进制算术运算的前置二进制解码器部分。5、 如权利要求4所述的集成电路，其中所述非二进制算术运算包括模3余数运算。6、 如权利要求1所述的集成电路，其中所述多个阵列线包括字线，且其中所述多个阵列线驱动器电路包括字线驱动器电路。7、 如权利要求l所述的集成电路，其进一步包括二进制解码器，其可操作以选择阵列线的群组；及可操作以执行非二进制算术运算的电路系统，其中将所述非二进制算术运算的结 果作为输入提供至所述二进制解码器。8、 如权利要求7所述的集成电路，其中所述非二进制算术运算包括除以3运算。9、 如权利要求1所述的集成电路，其中所述存储器阵列包括三维存储器阵列， 所述三维存储器阵列包括并入有多于一个存储器平面的单片式半导体集成电路，所述 存储器平面彼此上下形成且位于半导体衬底上方，且其中所述多个阵列线驱动器电路 和所述解码器电路均设置于所述三维存储器阵列下方的所述半导体衬底内。10、 一种集成电路，其包括 存储器阵列，其包括多个阵列线；非二进制数量的阵列线驱动器电路，其与所述多个阵列线耦合；及 解码器电路，其与所述非二进制数量的阵列线驱动器电路耦合，所述解码器电路包括二进制解码器；及电路系统，其可操作以执行非二进制算术运算，其中将所述非二进制算术运算的结果作为输入提供至所述二进制解码器。11、 如权利要求10所述的集成电路，其中所述数量包括六。12、 如权利要求10所述的集成电路，其中所述非二进制算术运算包括模3余数 运算。13、 如权利要求10所述的集成电路，其中所述多个阵列线包括字线，且其...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗伊·E·朔伊尔莱茵，克里斯托弗·J·佩蒂，卢卡·G·法索利，
申请(专利权)人：桑迪士克三D公司，
类型：发明
国别省市：
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