半导体存储器件及其驱动方法技术

一种用于驱动半导体存储器件的方法，包括：初始化与在单元阵列中包括的每个对应行的刷新时间相对应的第一数据；在进入自刷新模式之后，存储与在第一行中包括的列数据相对应的第二数据；通过检测第一行的刷新时间而设置与第一行相对应的第一数据，同时，在预定刷新循环中，根据基于对应的第一数据而选择的刷新周期，而对单元阵列中的其它行执行刷新操作，其中，在预定刷新循环期间，不对第一行执行刷新操作；向第一行恢复第二数据；以及对于其它行而重复以上步骤，由此设置对应的第一数据，直至对所有行完成了设置步骤、或自刷新模式期满。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体存储器件，并且更具体地，涉及半导体存储器件的自刷新(selfrefresh)操作。
技术介绍
与诸如静态随机存取存储器(SRAM)、以及快闪存储器不同，存储在动态随机存取存储器(DRAM)中的数据最终会逐渐消失(fade)。因此，需要DRAM周期性地重写数据。重写操作被称为刷新操作。通过在单元数据(celldata)的保持时间(retention time)期间至少一次读出并放大单元数据、并重写放大的单元数据，而执行刷新操作。存在两种刷新操作的操作模式。一种是自动刷新模式，用于通过响应于外部命令生成内部地址，而在活动(active)模式期间执行刷新操作。另一种是自刷新模式，用于在待机(stand-by)模式(例如，节能模式)期间执行刷新操作。在自动刷新模式和自刷新模式两者中，均通过响应于外部命令的内部计数器来生成内部地址，而执行刷新操作。在每一次输入外部命令时，内部地址顺序地增大。同时，在诸如便携式计算机、个人数字助理(PDA)、以及移动电话的移动装置中包括的低功率DRAM几乎不需要采用自刷新模式。通常，基于通过测试操作检测到的刷新时间，通过从在半导体存储器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：多个第一存储部件，每个第一存储部件被配置为存储在具有多个行和列的单元阵列中包括的对应行的刷新时间；多个第二存储部件，每个第二存储部件被配置为在检测到对应行的刷新时间时，存储对应行的列数据；振荡器，其被配置为生成自刷新模式中的最小刷新周期信号；计数器，其被配置为生成自刷新模式中的顺序的内部刷新地址；以及刷新周期控制器，其被配置为生成设置刷新周期信号，其中，基于在第一存储部件中存储的值、以及设置刷新周期信号而确定是否对对应行执行刷新操作。

【技术特征摘要】
KR 2006-4-14 34104/061.一种半导体存储器件，包括多个第一存储部件，每个第一存储部件被配置为存储在具有多个行和列的单元阵列中包括的对应行的刷新时间；多个第二存储部件，每个第二存储部件被配置为在检测到对应行的刷新时间时，存储对应行的列数据；振荡器，其被配置为生成自刷新模式中的最小刷新周期信号；计数器，其被配置为生成自刷新模式中的顺序的内部刷新地址；以及刷新周期控制器，其被配置为生成设置刷新周期信号，其中，基于在第一存储部件中存储的值、以及设置刷新周期信号而确定是否对对应行执行刷新操作。2.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括模式寄存器组，其被配置为在输入了模式寄存器设置命令时，基于通过预定地址引脚而输入的代码，而控制设置刷新周期信号的周期。3.一种用于驱动半导体存储器件的方法，包括初始化与在具有多个行和列的单元阵列中包括的每个对应行的刷新时间相对应的第一数据；在进入自刷新模式之后，存储与在单元阵列的第一行中包括的列数据相对应的第二数据；通过检测第一行的刷新时间而设置与第一行相对应的第一数据，同时，在预定刷新循环中，根据基于对应的第一数据而选择的刷新周期，对单元阵列中的其它行执行刷新操作，其中，在预定刷新循环期间，不对第一行执行刷新操作；向第一行恢复第二数据；以及对于单元阵列中的其它行重复以上步骤，由此设置对应的第一数据，直至对单元阵列中的所有行完成了设置步骤、或自刷新模式期满。4.如权利要求3所述的方法，其中，在自刷新模式期满时，执行初始化第一数据。5.如权利要求3所述的方法，其中，在每一个刷新循环初始化第一数据，以执行刷新操作。6.如权利要求3所述的方法，其中，所述设置第一数据包括将第二数据与在第一行中存储的列数据相比较；基于比较结果而设置与第一行相对应的第一数据。7.如权利要求6所述的方法，其中，当第二数据与在第一行中存储的列数据不同时，将与第一行相对应的第一数据设置为第一值；并且，当第二数据与在第一行中存储的列数据相同时，将与第一行相对应的第一数据设置为第二值。8.如权利要求7所述的方法，其中，当与第一行相对应的第一数据被设置为第一值时，在每一个刷新循环中，对第一行执行刷新操作；并且，当与第一行相对应的第一数据被设置为第二值时，根据由模式寄存器组设置的设置刷新周期，对第一行执行刷新操作。9.一种用于驱动半导体存储器件的方法，包括初始化与在具有多个行和列的单元阵列中包括的每个对应行的刷新时间相对应的第一数据；在进入自刷新模式之后，存储与在未设置其对应的第一数据的单元阵列的第一行中包括的列数据相对应的第二数据；通过检测第一行的刷新时间而设置与第一行相对应的第一数据，同时，在预定刷新循环中，根据基于对应的第一数据而选择的刷新周期，对单元阵列中的其它行执行刷新操作，其中，在预定刷新循环期间，不对第一行执行刷新操作；将第二数据取反；向第一行恢复取反的第二数据；第一重复从所述存储步骤到所述恢复步骤的步骤；以及对于未设置其对应的第一数据的单元阵列中的其它行，重复从所述存储步骤到所述第一重复步骤的步骤，由此设置对应的第一数据，直至对单元阵列中的所有行完成了设置步骤、或自刷新模式期满。10.如权利要求9所述的方法，其中，响应于通电操作而执行初始化第一数据。11.如权利要求10所述的方法，其中，在每一个刷新循环初始化第一数据...

【专利技术属性】
技术研发人员：安进弘，郑奉华，金生焕，秋新镐，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]