【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储器和刷新周期控制，尤其涉及动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)之类的半导体存储器，其需要刷新操作和刷新周期控制方法。
技术介绍
已知用于产生自振荡器的振荡周期的技术，其以DRAM的刷新周期为基础，且所述DRAM的刷新周期通过使用由恒流产生电路产生的电流来确保恒定。在对设备进行测试的过程中，在多个用于半导体存储器中电路的保险丝中编程预定数量的保险丝。由此，可改变恒流产生电路产生的电流电平并设置刷新周期。通常，如果恒流产生电路输出的电流大，则刷新周期短。反之，如果恒流产生电路输出的电流小，则刷新周期长。以下描述是基于上述前提的。通常，用于改变半导体存储器的刷新周期的技术公知为减少待机电流(standby current)，其中，半导体存储器包括温度传感器，参见，例如，日本未审查专利公开号2003-5861和2003-100074。图8显示了根据温度改变刷新周期的一个示例。图8同时显示了存储单元的数据保留时间(tREF)。总而言之，随着温度降低，DRAM中存储单元的数据保留时间变长。在温度低...
【技术保护点】
一种需要刷新操作的半导体存储器，包括：温度检测部，用于检测所述半导体存储器的温度；周期变化控制部，用于发送周期变化信号，以在所述半导体存储器的温度达到预定周期变化温度时改变刷新周期；刷新时机信号产生部，用于产生刷新时机信号，并用于响应所述周期变化信号改变所述刷新时机信号的周期；信号产生电路，用于产生用来产生所述刷新时机信号的信号；第一设置电路，用于指定在所述半导体存储器温度低于或等于所述周期变化温度的情况下所产生的信号的电平；以及第二设置电路，用于指定在所述半导体存储器温度高于所述周期变化温度的情况下所产生的信号的电平。
【技术特征摘要】
1.一种需要刷新操作的半导体存储器，包括温度检测部，用于检测所述半导体存储器的温度；周期变化控制部，用于发送周期变化信号，以在所述半导体存储器的温度达到预定周期变化温度时改变刷新周期；刷新时机信号产生部，用于产生刷新时机信号，并用于响应所述周期变化信号改变所述刷新时机信号的周期；信号产生电路，用于产生用来产生所述刷新时机信号的信号；第一设置电路，用于指定在所述半导体存储器温度低于或等于所述周期变化温度的情况下所产生的信号的电平；以及第二设置电路，用于指定在所述半导体存储器温度高于所述周期变化温度的情况下所产生的信号的电平。2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述信号产生电路产生的信号为电流；所述第一设置电路为用于指定所述电流电平的第一恒流设置电路；以及所述第二设置电路为用于指定所述电流电平的第二恒流设置电路。3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，所述第一设置电路和所述第二设置电路分别包括多个保险丝，并分别根据所述多个保险丝中保险丝被切断的位置来指定所述信号的电平。4.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，如果所述信号具有随所述半导体存储器温度上升而信号电平增大的温度相关性，则由所述第一设置电路指定的所述信号的电平与由所述第二设置电路指定的所述信号的电平相等。5.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中所述第一设置电路和所述第二设置电路分别包括多个保险丝，并分别根据所述多个保险丝中保险丝被切断的位置来指定所述信号的电平；以及如果所述信号具有随所述半导体存储器温度上升而信号电平增大的温度相关性，所述第一设置电路与所述第二设置电路的所述多个保险丝中保险丝被切断的位置相同。6.根据权利要求1所述的半导体存储器，其中，进一步包括选择电路，用于从由所述第一设置电路指定的所述信号的电平和由所述第二设置电路指定的所述信号的电平中选择一个待由所述信号产生电路使用的电平；温度相关性信息存储部，用于存储指示所述信号的温度相关性的温度相关性信息；其中，如果存储的所述温度相关性信息指示的温度相关性为所述信号的电平随所述半导体存储器温度的上升而增大，则即使在所述半导体存储器温度低于或等于所述周期变化温度的情况下，所述选择电路仍选择由所述第二设置电路指定的所述信号的电平。7.根据权利要求6所述的半导体存储器，其中所述温度相关性信息存储部包括保险丝；以及所述温度相关性信息是基于所述保险丝是否被切断而确定的。8.根据权利要求6所述的半导体存储器，其中，进一步包括温度相关性测量部，用于在测试时比较在不同温度下由所述信号产生电路产生的信号的电平，并根据比较结果产生所述温度相关性信息，其中产生的所述温度相关性信息存储在所述温度相关性信息存储部中。9.根据权利要求8所述的半导体存储器，其中，所述温度相关性测量部包括计算部，用于计算所述信号的电平；存储部，用于保存所述计算部在不同...
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