将弱单元用作读取标识符的非易失性半导体存储器器件制造技术

非易失性半导体存储器被配置为监视读取干扰（例如，由于软编程）的发作并且执行保护其中数据的操作。非易失性半导体存储器具有包括正常存储器单元和标志存储器单元的存储器单元阵列。标志存储器单元被配置为在其数据保留方面比正常存储器单元更易受电压力影响。存储器监视存储在标志存储器单元中的数据，以便监视正常存储器单元的数据保留特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性半导体存储器，更具体地涉及通过将电荷注入浮置 栅极中或从中放出电荷来存储数据的非易失性半导体存储器。
技术介绍
年来，随着诸如计算机之类的信息处理设备迅速发展，高速高容量半 导体存储器器件被用作信息处理设备的关键组件。通常，半导体存储器器件可被分类为易失性半导体存储器器件和非易失 性半导体存储器器件。易失性半导体存储器器件可被进一步分类为动态随机 存取存储器和静态随机存取存储器。易失性半导体存储器器件在读写操作中 是快速的，但当其存储器单元断电时丟失数据。非易失性半导体存储器器件 可被进一步分类为掩膜只读存储器(MROM)、可编程只读存储器(PROM)、 可擦除和可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)等。非易失性半导体存储器器件即使在断电时也可以永久地保留其存储器单 元中的数据，并因此可被用于与其供电状态无关地保留数据。 一旦在电子系 统中安装了 MROM、 PROM或EPROM,就难以擦除其中的(程序)数据或 将(程序)数据写入其中。反之，在将EEPROM安装到电子系统中之后，可 以利用系统自身更容易地电可4寮除和可写入E本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有存储器单元阵列的非易失性半导体存储器，该存储器单元阵列包括：　　　　正常存储器单元；以及　　　　标志存储器单元，其被配置为在其数据保留方面比正常存储器单元更易受电压力影响，并被用于监视正常存储器单元的数据保留特性。

【技术特征摘要】
KR 2006-11-3 108360/061.一种具有存储器单元阵列的非易失性半导体存储器，该存储器单元阵列包括正常存储器单元；以及标志存储器单元，其被配置为在其数据保留方面比正常存储器单元更易受电压力影响，并被用于监视正常存储器单元的数据保留特性。2. 根据权利要求1所述的存储器，其中标志存储器单元具有比正常存储 器单元大的耦合比。3. 根据权利要求1所述的存储器，其中标志存储器单元被配置为比正常 存储器单元更易受软编程影响。4. 根据权利要求1所述的存储器，其中，标志存储器单元被配置为比正 常存储器单元更易受其中所存储的数据的读取干扰影响。5. 根据权利要求1所述的存储器，其中，非易失性半导体存储器被配置 为响应标志存储器单元中的数据的变化，备份存储在正常存储器单元中的数 据。6. —种具有存储器单元阵列的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM) 型非易失性半导体存储器，该存储器单元阵列包括正常存储器单元，包括每个具有控制栅极和用于存储数据的浮置栅极的 MOS晶体管；以及标志存储器单元，被配置为在其数据保留方面比正常存储器单元更易受 电压力影响，并被用于监视正常存储器单元的数据保留特性。7. 根据权利要求6所述的存储器，其中标志存储器单元包括宽度比正常 存储器单元的浮置栅极的宽度大的浮置栅极。8. 根据权利要求7所述的存储器，其中标志存储器单元被配置为比正常 存储器单元更易受其中所存储的数据的读取干扰影响。9. 根据权利要求8所述的存储器，其中非易失性半导体存储器被配置为 响应标志存储器单元中的数据的变化，备份存储在正常存储器单元中的数据。10. —种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)型非易失性半导体存 储器器件，包括存储器单元阵列，包括正常存储器单元和每一个与正常存储器单元之一 相对应的标志存储器单元，其中，该正常存储器单元包括每个具有控制栅极 和用于存储数据的浮置栅极的MOS晶体管，标志存储器单元具有与正常存储 器单元相同的类型，并被配置为在其数据保留方面比正常存储器单元更易受电压力影响；以及读取电路，其被配置为选择与输入地址相对应的数个正常存储器单元并 从所选择的正常存储器单元中读取数据，其中，读取电路在初始读取操作中从与所选择的正常存储器单元相对应的至少 一个标志存储器单元读取数据，响应所读取的数据识别是否发生了读取干扰， 并且当识别出读取干扰时暂停对所选择的正常存储器单元进行读取操作。11. 根据权利要求IO所述的器件，进一步包括当识别出读取干扰时、被 配置为执行数据往回复制操作以将数据从所选择的正常存储器单元读入存储 器单元阵列的第一部分的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：金厚成，韩义奎，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]