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非易失性半导体存储器被配置为监视读取干扰（例如，由于软编程）的发作并且执行保护其中数据的操作。非易失性半导体存储器具有包括正常存储器单元和标志存储器单元的存储器单元阵列。标志存储器单元被配置为在其数据保留方面比正常存储器单元更易受电压力影响...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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