内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法技术

一种内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，其特征在于，包括以下步骤：　　　　（１）将芯片内置的非挥发性存储器寻址范围内的初始地址值设为表征测试模式的值，将其他值设为表征正常工作模式的值；　　　　（２）在所述非挥发性存储器的寻址范围外引入一个额外的附加地址，用于存放状态标志值；　　　　（３）使用一个二输入比较器来实现测试模式和正常工作模式间的切换；所述比较器的一端固定输入的预定义数据为所述非挥发性存储器寻址范围的初始值，另一端输入由所述附加地址所指向的所述状态标志值；当所述状态标志值为所述非挥发性存储器寻址范围的初始值时，所述比较器将输出使所述芯片工作在测试模式下的信号；而当所述状态标志值为其他值时，所述比较器将输出使所述芯片工作在正常工作模式下的信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，尤其 涉及一种无需预留专门的测试管脚内置非挥发性存储器芯片的测试模式 实现方法。
技术介绍
目前，作为DFT (可测性设计，Drive Fitness Test)设计技术的一 种，在设计内置非挥发性存储器芯片时，通常需预留测试管脚(PIN)，以 用来区分电路处于测试状态还是正常工作状态。但是这样导致了电路需要 多一个PAD，使得面积增大，芯片的成本也随之提高。尤其在对芯片面积 要求很高，可使用的PIN的数目非常有限，无法为测试单独设置一个PIN 甚至连复用都变得无法实现时，这种方法的缺点尤其突出。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种内置非挥发性存储器芯片的测试 模式实现方法，可在不预留专门的测试管脚的情况下实现对所述芯片的测 试，并能够从测试状态转换到工作状态下，从而可减小芯片的面积，也不 会对芯片的其他正常功能造成任何影响。为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种内置非挥发性存储器芯片的 测试模式实现方法，包括以下步骤(1 )将芯片内置的非挥发性存储器寻址范围内的初始地址值设为表征测试模式的值，将其他值设为表征正常工作模式的值；(2) 在所述非挥发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1、一种内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现方法，其特征在于，包括以下步骤(1)将芯片内置的非挥发性存储器寻址范围内的初始地址值设为表征测试模式的值，将其他值设为表征正常工作模式的值；(2)在所述非挥发性存储器的寻址范围外引入一个额外的附加地址，用于存放状态标志值；(3)使用一个二输入比较器来实现测试模式和正常工作模式间的切换；所述比较器的一端固定输入的预定义数据为所述非挥发性存储器寻址范围的初始值，另一端输入由所述附加地址所指向的所述状态标志值；当所述状态标志值为所述非挥发性存储器寻址范围的初始值时，所述比较器将输出使所述芯片工作在测试模式下的信号；而当所述状态标志值为其他值时，所述比较器将输出使所述芯片工作在正常工作模式下的信号。2、 根据权利要求1所述的内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现 方法，其特征在于，所述状态标志值在默认情况下为所述存储器寻址范围 的初始值。3、 根据权利要求1所述的内置非挥发性存储器芯片的测试模式实现 方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦硕诣，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：