存储器控制器、存储器芯片和用于操作存储单元集合的方法技术

本发明专利技术涉及存储器控制器、存储器芯片和用于操作存储单元集合的方法。操作过程提供用于使有关存储单元的特性参数的水平的数量最大化的成本有效方法。所述过程利用统计分析以确定与特性参数值相关的最可能的二进制值。在一个实施例中，接收单元读取包含目标存储单元的存储单元集合中的各存储单元的特性参数的值。产生单元对于存储单元集合的可能的二进制值中的每一个产生特性参数的概率分布函数。产生单元使用所述概率分布函数以确定目标存储单元的特性参数的偏移值的可能值范围。目标存储单元的特性参数值被转换成概率最高的二进制值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二进制数据存储。更特别地，本专利技术针对存储和检索 半导体计算机存储器中的信息的方法。
技术介绍
典型的半导体计算机存储器是在包含大量的物理存储单元的阵列 的半导体衬底上制造的。 一般地，二进制数据的一个位表示为与存储单元相关的物理参数的变化。 一般使用的物理参数包含由于存储在非易失性电可擦可编程只读存储器(EEPROM)中的浮动栅极或捕获层 中的电荷的量导致的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的阈值电 压变化、相变随机存取存储器(PRAM)或奥弗辛斯基统一存储器 (OUM )中的相变存储器元件的电阻变化和易失性动态随机存取存储 器(DRAM)中的电荷存储变化。增加存储在单一物理半导体存储单元中的位的数量是降低每位的 制造成本的有效方法。当物理参数的变化可与多个位值相关时，数据 的多个位也可被存储在单一存储单元中。该多位存储存储单元一般被 称为多级单元(MLC)。计算机存储器装置和电路设计中的大量的努 力致力于使存储在单一物理存储单元中的位的数量最大化。对于诸如 一般用作大容量存储装置的流行的非易失性闪存的存储类存储器尤其 如此。半导体存储单元中的多位存储的基本需本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于操作存储单元集合的方法，该存储单元集合包含多个存储单元，存储单元集合中的各个存储单元存储由特性参数的预设的值范围划界的至少一个可能的二进制值，其中，特性参数的值范围随时间偏移，该方法包括：读出目标存储单元的特性参数的偏移值；读出存储单元集合中的各个存储单元的特性参数的偏移值；从存储单元集合中的各个存储单元的特性参数的偏移值产生用于可能的二进制值中的每一个的特性参数的概率分布函数；对于可能的二进制值中的每一个，确定目标存储单元的特性参数的偏移值处于其概率分布函数中的概率；和将目标存储单元的特性参数的偏移值转换成概率最高的二进制值。

【技术特征摘要】
US 2007-1-7 11/620,7041.一种用于操作存储单元集合的方法，该存储单元集合包含多个存储单元，存储单元集合中的各个存储单元存储由特性参数的预设的值范围划界的至少一个可能的二进制值，其中，特性参数的值范围随时间偏移，该方法包括读出目标存储单元的特性参数的偏移值；读出存储单元集合中的各个存储单元的特性参数的偏移值；从存储单元集合中的各个存储单元的特性参数的偏移值产生用于可能的二进制值中的每一个的特性参数的概率分布函数；对于可能的二进制值中的每一个，确定目标存储单元的特性参数的偏移值处于其概率分布函数中的概率；和将目标存储单元的特性参数的偏移值转换成概率最高的二进制值。2，根据权利要求1的方法，还包括通过将存储单元的特性参数的 值设为可能的二进制值中的 一个的预设值范围的中心，对存储单元集 合中的各个存储单元进行编程。3. 根据权利要求l的方法，其中，通过使用最大可能性估计从存 储单元集合中的各个存储单元的特性参数的偏移值确定特性参数的概 率分布函数中的每一个。4. 根据权利要求l的方法，其中，特性参数是动态随机存取存储 器(DRAM)中的电荷存储变化。5. 根据权利要求l的方法，其中，特性参数是电可擦可编程只读 存储器(EEPROM)中的浮动栅极的阈值电压变化。6. 根据权利要求1的方法，其中，特性参数是相变存储器(PCM) 的电阻变化。7. 根据权利要求l的方法，其中，特性参数是电阻随机存取存储 器(RRAM)的电阻变化。8. 根据权利要求l的方法，其中，特性参数是光存储装置的光折射率。9. 一种用于操作存储单元集合的存储器控制器，该存储单元集合 包含多个存...

【专利技术属性】
技术研发人员：林仲汉，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]