槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备制造技术

本申请公开一种槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备。该槽栅超结VDMOS器件包括元胞结构和开关管；元胞结构包括超结结构，超结结构的顶端设有沟槽栅极结构，沟槽栅极结构包括从上至下依次层叠设置的N型多晶硅区和P型多晶硅区，N型多晶硅区的上表面设有金属层，P型多晶硅区通过多晶走线与栅极连接，沟槽栅极结构的两侧分别设有P型基区，每侧的P型基区的上表面均设有相接触的N+源区和P+体区，且N+源区紧邻沟槽栅极结构，每侧的N+源区的部分上表面和P+体区的上表面设有源极金属；开关管跨接在金属层与源极金属之间，当开关管导通时，P型基区的表面形成供电流通过的导电沟道。本申请可以提高反向恢复特性。

【技术实现步骤摘要】
槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备
本申请涉及功率半导体器件领域，具体涉及一种槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备。
技术介绍
超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(verticaldouble-diffusedmetaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，VDMOS)器件的体二极管特性相比于常规VDMOS更差，其原因是超结VDMOS器件内部具有交替的PN柱结构，使得体二极管正向导通时存储在耐压层中的非平衡载流子浓度更高，而在体二极管反向恢复过程中非平衡载流子被抽取的速度很快。在反向恢复过程中极易出现电流和电压的过冲，造成超结VDMOS器件损坏，导致反向恢复特性较差。
技术实现思路
鉴于此，本申请提供一种槽栅超结VDMOS器件、芯片及终端设备，以解决现有的超结VDMOS器件反向恢复特性较差的问题。本申请提供的一种槽栅超结VDMOS器件，包括元胞结构和开关管；其中，所述元胞结构包括超结结构，所述超结结构的顶端设有沟槽栅极结构，所述沟槽栅极结构包括从上至下依次层叠设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种槽栅超结VDMOS器件，其特征在于，包括元胞结构和开关管；其中，所述元胞结构包括超结结构，所述超结结构的顶端设有沟槽栅极结构，所述沟槽栅极结构包括从上至下依次层叠设置的N型多晶硅区和P型多晶硅区，所述N型多晶硅区的上表面设有金属层，所述所述P型多晶硅区通过多晶走线与栅极连接，所述沟槽栅极结构的两侧分别设有P型基区，每侧的所述P型基区的上表面均设有相接触的N+源区和P+体区，且所述N+源区紧邻所述沟槽栅极结构，每侧的所述N+源区的部分上表面和P+体区的上表面设有源极金属，每侧的所述源极金属相对于所述栅极金属对称分布；/n所述开关管跨接在所述金属层与所述源极金属之间，当所述开关管导通时，所...

【技术特征摘要】
1.一种槽栅超结VDMOS器件，其特征在于，包括元胞结构和开关管；其中，所述元胞结构包括超结结构，所述超结结构的顶端设有沟槽栅极结构，所述沟槽栅极结构包括从上至下依次层叠设置的N型多晶硅区和P型多晶硅区，所述N型多晶硅区的上表面设有金属层，所述所述P型多晶硅区通过多晶走线与栅极连接，所述沟槽栅极结构的两侧分别设有P型基区，每侧的所述P型基区的上表面均设有相接触的N+源区和P+体区，且所述N+源区紧邻所述沟槽栅极结构，每侧的所述N+源区的部分上表面和P+体区的上表面设有源极金属，每侧的所述源极金属相对于所述栅极金属对称分布；
所述开关管跨接在所述金属层与所述源极金属之间，当所述开关管导通时，所述P型基区的表面形成供电流通过的导电沟道；
所述沟槽栅极结构的下表面以及两侧面均设有氧化层，所述氧化层用于隔离所述超结结构、P型基区、N+源区以及源极金属。


2.根据权利要求1所述的槽栅超结VDMOS器件，其特征在于，所述N型多晶硅区的下表面的深度大于或等于所述P型基区的下表面的深度。


3.根据权利要求1所述的槽栅超结VDMOS器件，其特征在于，所述N型多晶硅区为掺杂硼的N型多晶硅，所述P型多晶硅区为掺杂磷的P型多晶硅。


4.根据权利要求1所述的槽栅超结VDMOS器件，其特征在于，所述沟...

【专利技术属性】
技术研发人员：任敏，李长泽，李泽宏，李伟聪，林泳浩，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44