一种带温度采样功能的屏蔽栅器件制造技术

本发明专利技术属于半导体器件技术领域，具体涉及一种带温度采样功能的屏蔽栅器件，器件的元胞区包括多个常规元胞和多个采样元胞，通过利用所述采样元胞中多晶硅PN结二极管正向压降的负温度特性，将多晶硅PN结二极管作为温度传感器实时监测屏蔽栅器件的温度变化。由于采样元胞与常规元胞集成，能够更好监测到屏蔽栅器件的内部温度，从而在出现过温时及时检测，避免器件被烧毁。同时由于采样元胞的结构相对于常规元胞微调，因此采样元胞与常规元胞工艺兼容，采样相同工艺步骤制作完成，不会过多增加工艺难度，节约成本。节约成本。节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种带温度采样功能的屏蔽栅器件


[0001]本专利技术属于半导体器件
，具体涉及一种带温度采样功能的屏蔽栅器件。

技术介绍

[0002]屏蔽栅器件作为一种功率半导体器件，需要在大功率环境下使用，器件就容易过热烧毁。因此需要为屏蔽栅器件设计一种温度采样电路，实时监测功率器件的温度，并且将温度信号输出到保护电路中，控制功率器件工作，起到过温保护的作用。
[0003]现有技术下，温度采样器件往往设置于功率器件的表面，由于功率器件发热量最大的位置通常位于器件内部电场最高处，因此位于功率器件表面的温度采样器件采样温度存在一定时间延迟，容易造成保护电路启动不及时，从而导致功率器件烧毁。

技术实现思路

[0004]本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中温度采样器件设置于功率器件的表面，造成温度监测延迟从而容易导致功率器件烧毁的缺陷，从而提供一种带温度采样功能的屏蔽栅器件。
[0005]一种带温度采样功能的屏蔽栅器件，所述器件的元胞区包括多个常规元胞和多个采样元胞，所述常规元胞和采样元胞包括：N型的衬底、弱N型的外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带温度采样功能的屏蔽栅器件，其特征在于，所述器件的元胞区包括多个常规元胞（7）和多个采样元胞（8），所述常规元胞（7）和采样元胞（8）包括：N型的衬底（1）、弱N型的外延层（2）、氧化层（3）、P型多晶硅（4）、N型多晶硅（5）和P型的基体区（6）；所述外延层（2）位于所述衬底（1）上方；所述氧化层（3）的一部分位于所述外延层（2）内部，且顶部高于所述外延层（2）的顶部；所述基体区（6）位于所述外延层（2）上方的氧化层（3）的两侧；所述P型多晶硅（4）和N型多晶硅（5）位于所述氧化层（3）内部，并且所述P型多晶硅（4）位于所述N型多晶硅（5）上方；所述常规元胞（7）的P型多晶硅（4）和N型多晶硅（5）相分离，分别形成控制栅和屏蔽栅；所述采样元胞（8）的P型多晶硅（4）和N型多晶硅（5）相连接，形成多晶硅二极管，所述P型多晶硅（4）形成所述多晶硅二极管的P区，所述N型多晶硅（5）形成所述多晶硅二极管的N区；所述常规元胞（7）的屏蔽栅连接源电位，控制栅连接栅电位；所述采样元胞（8）的N型多晶硅（5）连接源电位，P型多晶硅（4）为采样端。2.根据权利要求1所述的一种带温...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟聪，姜春亮，雷秀芳，林泳浩，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：