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本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种带温度采样功能的屏蔽栅器件，器件的元胞区包括多个常规元胞和多个采样元胞，通过利用所述采样元胞中多晶硅PN结二极管正向压降的负温度特性，将多晶硅PN结二极管作为温度传感器实时监测屏蔽栅器件的温度变化。...
该专利属于深圳市威兆半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市威兆半导体有限公司授权不得商用。

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