【技术实现步骤摘要】
电迁移测试结构及形成方法、电迁移测试方法、存储器
[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种电迁移测试结构及其形成方法、电迁移测试方法、存储器。
技术介绍
[0002]近年来，随着半导体器件的尺寸不断缩小、集成度不断的提高，半导体器件工作时的电流不断增加，电迁移(Electromigration，EM)效应成为半导体器件可靠性的瓶颈之一。电迁移效应是指半导体器件中的集成电路工作时金属线内部有电流通过，在电流的作用下金属离子产生物质运输的现象。由此，金属线的某些部位会因该电迁移现象而出现空洞(Void)，进而发生断路，而某些部位会因该电迁移现象而出现小丘(Hillock)，进而造成电路短路。
[0003]当前在对测试结构进行电迁移测试，主要是向测试结构施加一个恒定电流，所述测试结构在电子风的推动下会发生导电粒子(例如Cu原子或者Al原子)的迁移，从而在所述测试结构内部形成空洞。通过监控所述测试结构电阻的变化来判断空洞的大小，当所述测试结构的电阻下降10％时，判定所述测试结构失效，并记录失效时间(Time...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电迁移测试结构，其特征在于，包括存储区域和位于所述存储区域外部的外围区域；所述电迁移测试结构还包括：测试层，连续分布于所述存储区域和所述外围区域；互连结构，位于所述存储区域，包括互连层和半导体层，所述互连层的一端连接所述测试层、另一端连接所述半导体层；监控结构，位于所述外围区域，连接所述测试层且分布于所述互连层的相对两外侧，用于监控所述测试层的电阻变化。2.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述监控结构包括：接触插塞，所述接触插塞与所述互连层均沿平行于所述半导体层指向所述测试层的方向延伸；转接层，所述接触插塞的一端与所述测试层接触连接、另一端连接所述转接层，所述转接层和所述半导体层均沿垂直于所述半导体层指向所述测试层的方向延伸。3.根据权利要求2所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述接触插塞与所述转接层之间的接触电阻小于所述互连层与所述半导体层之间的接触电阻。4.根据权利要求2所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述接触插塞包括第一子接触插塞和第二子接触插塞；所述电迁移测试结构还包括：第一介质层，位于所述半导体层背离所述互连层的表面，所述转接层位于所述第一介质层背离所述互连层的表面，所述第一子接触插塞沿平行于所述半导体层指向所述测试层的方向贯穿所述第一介质层并与所述转接层接触连接；第二介质层，位于所述半导体层与所述测试层之间，所述互连层沿平行于所述半导体层指向所述测试层的方向贯穿所述第二介质层，所述第二子接触插塞沿平行于所述半导体层指向所述测试层的方向贯穿所述第二介质层和所述半导体层、并与所述第一子接触插塞接触连接。5.根据权利要求4所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述第一介质层连续分布于所述存储区域和所述外围区域；所述存储区域包括存储阵列，所述第一介质层覆盖所述存储阵列。6.根据权利要求1所述的电迁移测试结构，其特征在于，所述监控结构内部的接触电阻小于或者等于所述测试层的初始电阻，所述初始电阻是指所述测试层进行电迁移测试之前的电阻。7.一种电迁移测试结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：于存储区域形成互连结构、并于所述存储区域外部的外围区域形成监控结构，所述互连结构包括半导体层、以及位于所述半导体层表面的互连层，所述监控结构分布于所述互连层的相对两外侧；形成与所述互连层和所述监控结构均连接、且连续分布于所述存储区域和所述外围区域的测试层，所述监控结构用于监控所述测试层的电阻变化。8.根据权利要求7所述的电迁移测试结构的形成方法，其特征在于，于存储区域形成互连结构、并于所述存储区域外部的外围区域形成监控结构的具体步骤包括：于存储区域形成包括接触插塞和转接层的所述监控结构、并于所述存储区域外部的外围区域形成包括所述半导体层和所述互连层的互连结构，所述接触插塞贯穿所述半导体层，且所述接触插塞的一端与所述转接层接触连接、另一端用于与测试层连接，所述接触插
塞与所述互连层均沿平行于所述半导体层指向所述测试层的方向延伸，所述转接层和所述半导体层均沿垂直于所述半导体层指向所述测试层的方向延伸。9.根据权利要求8所述的电迁移测试结...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨素慧，杨盛玮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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