【技术实现步骤摘要】
具有绝缘栅晶体管单元和整流结的半导体器件
本公开的示例涉及具有绝缘栅晶体管单元的半导体器件，特别是涉及具有绝缘栅晶体管单元和在绝缘栅晶体管的栅极电极和源极电极之间的整流结的半导体器件。
技术介绍
对于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)而言要考虑的一个方面是在长期工作下的栅极阈值电压VGS(th)的漂移。栅极阈值电压漂移的动态分量可以取决于开关频率和用于关断VGS(off)的所选择的栅极到源极电压。例如，栅极端子处的负电压可能加速栅极阈值电压漂移。目的在于限制SiCMOSFET导通状态电阻RDS(on)的增加的设计准则推荐针对最小关断电压VGS(off)、开关频率和接通电压VGS(on)的特定的工作区域。存在对于以低的电路复杂性来减小半导体器件的长期栅极阈值电压漂移的需要。
技术实现思路
本公开的实施例涉及一种半导体器件。该半导体器件包括绝缘栅晶体管单元、漏极区/漂移区、阴极区、阳极区/分离区和源极电极。绝缘栅晶体管单元包括源极区和栅极电极。源极区被形成在碳化硅本体中。阴极区被形成在碳化硅...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n绝缘栅晶体管单元(TC)，其包括源极区(110)和栅极电极(155)，其中源极区(110)被形成在碳化硅本体(100)中；/n第一导电类型的漏极区/漂移区(130)；/n被形成在碳化硅本体(100)中的阴极区(410)，其中阴极区(410)和源极区(110)具有第一导电类型，并且其中栅极电极(155)和阴极区(410)电连接；/n在阴极区(410)和漏极区/漂移区(130)之间的第二导电类型的阳极区/分离区(420)，以及/n源极电极(310)，其中源极电极(310)和源极区(110)电连接，并且其中源极电极(310)和阳极区/分离区(420)...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20200228 EP 20160168.91.一种半导体器件，包括：
绝缘栅晶体管单元(TC)，其包括源极区(110)和栅极电极(155)，其中源极区(110)被形成在碳化硅本体(100)中；
第一导电类型的漏极区/漂移区(130)；
被形成在碳化硅本体(100)中的阴极区(410)，其中阴极区(410)和源极区(110)具有第一导电类型，并且其中栅极电极(155)和阴极区(410)电连接；
在阴极区(410)和漏极区/漂移区(130)之间的第二导电类型的阳极区/分离区(420)，以及
源极电极(310)，其中源极电极(310)和源极区(110)电连接，并且其中源极电极(310)和阳极区/分离区(420)彼此接触，并且其中，
整流结(490)被电耦合在源极电极(310)和阴极区(410)之间。
2.根据前述权利要求所述的半导体器件，
其中，源极电极(310)和阳极区/分离区(420)形成欧姆接触。
3.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体器件，其中，阴极区(410)从第一表面(101)延伸到阳极区/分离区(420)中。
4.根据前述权利要求中的任何一项所述的半导体器件，进一步包括：
形成在碳化硅本体(100)的前侧处的焊盘结构/布线结构(330)，其中焊盘结构/布线结构(330)和栅极电极(155)电连接，并且其中焊盘结构/布线结构(330)和阴极区(410)电连接。
5.根据前述权利要求所述的半导体器件，
其中，焊盘结构/布线结构(330)包括栅极焊盘(332)、集成栅极电阻器(333)和栅极布线(336)，其中集成栅极电阻器(333)被电气地布置在栅极焊盘(332)和栅极布线(336)之间。
6.根据前述权利要求所述的半导体器件，
其中，栅极布线(336)与阴极区(410)直接接触并且与栅极电极(155)直接接触。
技术研发人员：T·巴斯勒，HG·埃克尔，J·富尔曼，D·皮特斯，F·斯托默，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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