超结MOSFET器件及芯片制造技术

本申请公开一种超结MOSFET器件及芯片。该超结MOSFET器件包括N型外延层以及位于N型外延层上的元胞区和终端区；元胞区包括第一超结结构，第一超结结构两侧的上表面各设有第一P型基区，第一超结结构中间的上端面上设有第一多晶硅栅极，第一多晶硅栅极的下表面以及两侧面均设有第一氧化层，第一氧化层的外围设有源极金属；终端区包括第二超结结构，第二超结结构的上表面设有第二P型基区，第二P型基区的上表面设有第二氧化层，第二氧化层上设有第二多晶硅栅极；通过控制第一多晶硅栅极以及第二多晶硅栅极的状态，以控制在第一P型基区的表面形成供电流通过的导电沟道。本申请可以提高反向恢复特性。

【技术实现步骤摘要】
超结MOSFET器件及芯片
本申请涉及功率半导体器件领域，具体涉及一种超结MOSFET器件及芯片。
技术介绍
超结金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)器件的体二极管特性相比于常规MOSFET更差，其原因是超结MOSFET器件内部具有交替的PN柱结构，使得体二极管正向导通时存储在耐压层中的非平衡载流子浓度更高，而在体二极管反向恢复过程中非平衡载流子被抽取的速度很快。在反向恢复过程中极易出现电流和电压的过冲，造成超结MOSFET器件损坏，导致反向恢复特性较差。
技术实现思路
鉴于此，本申请提供一种超结MOSFET器件及芯片，以解决现有的超结MOSFET器件反向恢复特性较差的问题。本申请提供的一种超结MOSFET器件，包括N型外延层以及位于所述N型外延层上的元胞区和终端区；其中，所述元胞区包括第一超结结构，所述第一超结结构两侧的上表面各设有第一P型基区，所述第一超结结构中间的上端面上设有第一多晶硅栅极，所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超结MOSFET器件，其特征在于，包括N型外延层以及位于所述N型外延层上的元胞区和终端区；其中，所述元胞区包括第一超结结构，所述第一超结结构两侧的上表面各设有第一P型基区，所述第一超结结构中间的上端面上设有第一多晶硅栅极，所述第一多晶硅栅极的下表面以及两侧面均设有第一氧化层，所述第一氧化层的外围设有源极金属；/n所述终端区包括第二超结结构，所述第二超结结构的上表面设有第二P型基区，所述第二P型基区与所述第一P型基区相接触，所述第二P型基区的上表面设有第二氧化层，所述第二氧化层上设有第二多晶硅栅极，所述第二多晶硅栅极的上表面设有栅极PAD；/n通过控制所述第一多晶硅栅极以及所述第二多晶硅...

【技术特征摘要】
1.一种超结MOSFET器件，其特征在于，包括N型外延层以及位于所述N型外延层上的元胞区和终端区；其中，所述元胞区包括第一超结结构，所述第一超结结构两侧的上表面各设有第一P型基区，所述第一超结结构中间的上端面上设有第一多晶硅栅极，所述第一多晶硅栅极的下表面以及两侧面均设有第一氧化层，所述第一氧化层的外围设有源极金属；
所述终端区包括第二超结结构，所述第二超结结构的上表面设有第二P型基区，所述第二P型基区与所述第一P型基区相接触，所述第二P型基区的上表面设有第二氧化层，所述第二氧化层上设有第二多晶硅栅极，所述第二多晶硅栅极的上表面设有栅极PAD；
通过控制所述第一多晶硅栅极以及所述第二多晶硅栅极的状态，以控制在所述第一P型基区的表面形成供电流通过的导电沟道。


2.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述第一多晶硅栅极包括第一N型多晶硅以及位于所述第一N型多晶硅的上表面的第一P型多晶硅，所述第一P型多晶硅与所述源极金属形成欧姆接触，所述第一N型多晶硅通过栅走线与所述栅极PAD连接。


3.根据权利要求2所述的超结MOSFET器件，其特征在于，每侧的所述第一P型基区中设有相接触的N+源区和P+体区，其中一侧的所述N+源区的部分上表面和P+体区的部分上表面与所述源极金属的一端连接，另一侧的所述N+源区的部分上表面和P+体区的部分上表面与所述源极金属的另一端连接。


4.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，所述第一多晶硅栅极的两侧面的第一氧化层的厚度大于所述第一多晶硅栅极的下表面的第一氧化层的厚度。


5.根据权利要求1所述的超结MOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：任敏，李长泽，李泽宏，林泳浩，李伟聪，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44