半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；栅极层，形成于所述半导体层上，所述栅极层包括主栅和扩展栅，所述扩展栅包括与所述主栅连接的第一部分以及位于所述第一部分的远离所述主栅一侧的第二部分；源极区和漏极区，分别形成于所述主栅两侧的半导体层中，所述第二部分的长度小于所述第一部分位于所述半导体层上的长度；体接触区，形成于所述第一部分的远离所述主栅一侧的半导体层中，所述体接触区至少与所述第二部分接触。本发明专利技术能够在考量到栅极层和体接触区的制作工艺的波动性影响的同时，还能提高器件性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
绝缘体上半导体(SOI)结构包含下层衬底、绝缘埋层和上层半导体层，与常规的半导体衬底相比有诸多优点，例如：消除了闩锁效应、减小了器件的短沟道效应以及改善了抗辐照能力等，使得其广泛应用于射频、高压以及抗辐照等领域。对于SOI器件来说，如何抑制浮体效应，一直是SOI器件研究的热点之一。针对浮体效应的解决措施其中之一是采用体接触的方式使体区中积累的电荷得到释放，体接触就是在绝缘埋层上方、上层半导体层底部处于电学浮空状态的体区和外部相接触，使得电荷不在该区积累。目前，常见的实现体引出的器件结构包含BTS(BodyTiedtoSource)结构、T型栅结构和H型栅结构等。其中，参阅图1，图1是一种具有T型栅结构的器件示意图，从图1中可看出，上层半导体层上形成有T型栅极层11，T型栅极层11的“|”部位两侧的衬底中分别形成有源极区12和漏极区13，T型栅极层11的“―”部位的远离源极区12和漏极区13的一侧的衬底中形成有体接触区14本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：/nSOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；/n栅极层，形成于所述半导体层上，所述栅极层包括主栅和扩展栅，所述扩展栅包括与所述主栅连接的第一部分以及位于所述第一部分的远离所述主栅一侧的第二部分，所述第一部分与所述第二部分连接；/n源极区和漏极区，分别形成于所述主栅两侧的半导体层中，所述第二部分的长度小于所述第一部分位于所述半导体层上的长度；以及，/n体接触区，形成于所述第一部分的远离所述主栅一侧的半导体层中，所述体接触区至少与所述第二部分接触。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
SOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；
栅极层，形成于所述半导体层上，所述栅极层包括主栅和扩展栅，所述扩展栅包括与所述主栅连接的第一部分以及位于所述第一部分的远离所述主栅一侧的第二部分，所述第一部分与所述第二部分连接；
源极区和漏极区，分别形成于所述主栅两侧的半导体层中，所述第二部分的长度小于所述第一部分位于所述半导体层上的长度；以及，
体接触区，形成于所述第一部分的远离所述主栅一侧的半导体层中，所述体接触区至少与所述第二部分接触。


2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘埋层上形成有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构包围所述源极区、所述漏极区和所述体接触区。


3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述主栅的远离所述第一部分的一端从所述半导体层上延伸至所述浅沟槽隔离结构上。


4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一部分的两端从所述半导体层上延伸至所述浅沟槽隔离结构上。


5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二部分在所述第一部分的远离所述主栅一侧的位置与所述主栅对准。


6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述体接触区的形状为∏型，∏型的“―”部位位于所述第二部分的远离所述第一部分一侧的半导体层中，∏型的“|”部位的远离“―”部位的一端与所述第一部分接触或未接触。


7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述主栅和所述第一部分中形成有第一离子掺杂区，所述第二部分中形成有第二离子掺杂区；所述源极区...

【专利技术属性】
技术研发人员：李乐，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42