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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；栅极层，形成于所述半导体层上，所述栅极层包括主栅和扩展栅，所述扩展栅包括与所述主栅连接的第一部分以及位于所述第一部分的远离所...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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