动态调整非挥发性存储器的冗余区的方法及其相关装置制造方法及图纸

一种动态调整非挥发性存储器的冗余区的方法，该非挥发性存储器具有多个存储区块，各存储区块具有多个存储页，其步骤包含：　　　　读取各存储区块的一原始状态信息；　　　　将该各存储区块中的各存储页分别地重新规划成多个存储区及多个冗余区；以及　　　　根据该原始状态信息更新各冗余区的一状态信息。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术有关一种动态调整非挥发性存储器的冗余区的方法及其相关装置，尤指一种在快闪存储器内规划存储区及冗余区，及缩小读取装置加载数据缓冲区块容量的调整方法及其相关装置。(2)
技术介绍
快闪存储器广泛使用于数字相机、电视游乐器主机、随身碟等数字设备中，随着半导体制程的进步演进，快闪存储器储卡的存储容量也可以获得提升，对于可记录的文件及数据容量空间也相对变大，例如图1显示目前市面上可以购买到的三星半导体公司所出产的快闪存储器1，共有1G位的存储空间，相当于128M字节的存储空间，具有1024个存储区块(blocks)11，而每个存储区块具有64存储页(pages)12，每一存储页12大小为2K+64字节(1K＝1024)，其中存储区121容量为2K字节，而每一存储区121后端则固定配置有一64字节大小的冗余区122，以作为快闪存储器1整体系统信息的储存区域，而这些系统信息包含该存储区块11中的存储区121损坏与否的状态参数或标记，以让随身碟在读取快闪存储器1或使用者读、写快闪存储器1信息时作为可使用区域的参考。然而，以上述快闪存储器1的存储区121及冗余区122的结构，并无法利用目前现有的快闪存储器控制器来读取数据，原因在于现有快闪存储器控制器内的缓冲器(buffer)容量大小无法匹配运作，因此IC设计厂会重新设计控制器以匹配运作新的快闪存储器结构。举例而言，现有控制器具有一对528字节的乒乓缓冲器(共有1056字节)，是用以存取每一存储区为512字节以及16字节的冗余区的存储器结构，并无法容纳如图1的存储区121加上冗余区122的容量，即2112字节(2K+64字节)大小的容量，必需另行开发新的快闪存储器控制器来搭配上述的快闪存储器1的利用，而必需耗费大量的开发成本及时间，例如快闪存储器控制器内的先进先出(FIFO)控制线路及缓冲器等硬件皆必需加大容量，例如加大缓冲器为一对2K+64字节的乒乓缓冲器(共有2112字节)，并重新撰写固件程序，使其可以存取每一存储页为2K字节以及64字节的冗余区的存储页结构，因此导致产品上市的时程延滞及产品价格昂贵等缺点及问题的发生，并且产生新、旧快闪存储器控制器的硬件及存储器产品间无法兼容使用的困扰。(3)
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种动态调整非挥发性存储器的冗余区的方法，包含多个存储区及至少一冗余区分割规划在一存储页中，该冗余区间隔连结于各存储区之间，以让随身碟每次读取存储区内的数据只需读取至多一存储区加上冗余区的容量大小的缓冲数据，可以通用随身碟的缓冲器或硬件线路，可缩短产品研发时程及降低产品研发成本。本专利技术的另一目的在于提供一种动态调整非挥发性存储器的冗余区的方法，包含多个存储区及至少一冗余区分割规划在一存储页中，该冗余区连结于任一存储区末端存储地址之后，以让随身碟每次读取存储区内的数据只需读取至多一存储区加上冗余区的容量大小的缓冲数据，可以通用随身碟的缓冲器或硬件线路，可减少产品研发工时、人力及降低产品研发成本。本专利技术的又一目的在于提供一种USB随身碟，包含快闪存储器以及控制器，控制器中则包含只读存储器，预先烧录有固件；随机存取存储器；缓冲单元；微处理器，耦接只读存储器、随机存取存储器及缓冲单元；串行接口引擎；以及USB实体层电路，用以耦接于该缓冲单元及该微处理器；串行接口引擎，耦接于该缓冲单元；USB实体层电路，耦接于该串行接口引擎，用以传收符合USB规格的电气传输信号；以及直接存储器存取引擎，耦接于该缓冲单元以及该快闪存储器，用以存取该快闪存储器；其中微处理器及固件协同运作以分多次丛发存取该快闪存储器的一存储页。(4)附图说明为使对本专利技术有进一步的了解，以下列举若干实施例并配合附图进行详细说明，其中图1是现有存储器的存储页的快闪存储器内部规划结构图；图2为本专利技术第一实施例的存储器动态调整规划结构图；图3为图2中的存储页放大图；图4为本专利技术第一实施例的动态调整非挥发性存储器的冗余区的流程图；图5为本专利技术的较佳应用例图；图6为本专利技术第二实施例的存储器动态调整规划结构图；图7为本专利技术第二实施例的动态调整非挥发性存储器的冗余区的流程图；图8为本专利技术第三实施例的存储器动态调整规划结构图；图9为本专利技术第三实施例的动态调整非挥发性存储器的冗余区的流程图；以及图10显示根据本专利技术的可动态调整非挥发性存储器的冗余区的随身碟的一具体实施例方块图。(5)具体实施方式首先请参阅图2及图3，显示本专利技术的动态调整非挥发性存储器的冗余区的一具体实施例，其中，图2显示一存储器100内部的规划结构，于此实施例中，首先将目前市面上可以购买到的三星半导体公司所出产的128M字节的快闪存储器的状态字节读取出来，再将快闪存储器重新规划成存储器100包括有1024个存储区块10，每个存储区块10包含64个存储页20(如图2所示)，该每一存储页20内部，规划分割形成多个存储区21及至少一个冗余区22，在图2及图3所列举的第一实施例中，该冗余区22数量为四个，以每个存储页20为2112(＝2K+64)个字节为例，每一个存储区21的存储容量为512个字节，每一个冗余区22的存储容量为16个字节；同理可推，如该规划分割的存储区21数量为八个，冗余区22数量为八个时，则每一个存储区21的存储容量为256个字节，每一冗余区22的存储容量则为8个字节；上述的冗余区22可间隔连结于各存储区21之间，即连结于一存储区21最末存储地址及另一存储区21起始存储地址之间；最后再将原先读取出来的状态字节重新写入各个冗余区22；之后，以具有一对528字节的乒乓缓冲器的控制器为例，每次欲存取2112字节大小的存储页20时，控制器便会分解成连续地(丛发)存取512+16字节四次，在存取效能上也相当不错；这样，只要藉由更新快闪存储器控制器内部的固件，便可藉由具有一对528字节的乒乓缓冲器的控制器读取2112字节大小的存储页20规格，甚至将来也可以读取更大存储页的规格。上述图2及图3中所示的存储器100中的每一存储页20的存储区21提供作为一般数据信息储存用，根据原始状态信息(未示)为冗余区22产生系统数据，该系统数据如存储器100中的每一个存储区块10中的存储页20的损坏状态，即存储器100出厂前的测试数据，其中以每个存储页20为2112字节为例，原始状态信息(未示)可位在第2048位移地址上；而每一个冗余区22中至少有一个状态字节221， 以记录此一信息，状态字节221藉由此一状态字节221被读出，可以让存储器100的各存储区块10及存储区20的状态揭示出来。请再配合图4所示，为本专利技术动态调整非挥发性存储器的冗余区的方法流程图，包含步骤200～220，其中(200)扫描每一存储区块的原始状态信息。(210)将存储器中的每一个存储区块的每一存储页内部规划分割成多个存储区及多个冗余区，其中各冗余区间隔连结各存储区之间。(220)根据原始状态信息更新各冗余区的一状态信息。请再参阅图5所示，为本专利技术动态调整非挥发性存储器的冗余区的一较佳应用例图，其中，显示如图2及图3所示的一存储页20于一随身碟300内的数据读取方式，该随身碟300内具有一数据存取控制芯片310及两个缓冲器320，每一个缓冲器320具有528个字节的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨政智，
申请(专利权)人：创惟科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：