低供应电压能隙集成电路系统及操作的方法技术方案

本发明专利技术涉及一种低供应电压能隙集成电路系统及操作的方法，用来容许能隙电路系统在低供应电压集成电路下运作，并利用能隙电路的基准电压（Ｖｂｇ）来控制系统电压。实施例包括电荷泵（ｃｈａｒｇｅ　ｐｕｍｐ）用来将供应电压升至系统电压、以及开回路控制器用来提供启动电荷泵的第一信号并使一个输出能隙基准电压的能隙电路能运作。该系统还包括闭回路控制器，通过比较系统电压与能隙基准电压来调控系统电压。一旦系统电压低于目标电压值，闭回路控制器即传送第二信号来启动电荷泵。此外，系统也包括切换控制器，在感应到作用中的能隙电路后即选择闭回路控制器。本发明专利技术提出的系统通过利用能隙电压做为基准，来使闭回路控制器能够调控系统电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路，且特别涉及一种系统和一种方法，用来容许能隙电路系统在低供应电压集成电路下运作，并利用能隙电路的基准电压(Vbg)来控制系统电压。
技术介绍
在传统的动态随机存储器(DRAM)阵列中，信息储存于一种给定DRAM 单元的方式，通过适当地驱动字元线(wordline, WL)来启动转移晶体管 (transfer transistor),从而传递电荷至单元电容器(cell capacitor)。 一般而言， 单元的持久和表现会随着转移至单元内电荷的数量而增强。 一种给定单元的 转移晶体管由将电压Vpp施加至字元线所启动，用来转移电荷至单元内；通 过将电压WLL (wordline low)施加到字元线来切换关闭该转移晶体管。为了转移尽可能多的电荷至单元内，Vpp必须比该转移晶体管的临界电 压Vt高。因此，Vpp可能为供应电压Vdd和晶体管临界电压Vtn的总和。 Vpp电压的增加容许了电荷转移时间的縮短。然而基于对可靠度的考虑，Vpp 的最大值限制视横跨转移晶体管的栅极氧化物的最大容许电场而定。Vpp电 压可能被调控以确保转移晶体管的栅极氧化物未被破坏。基准电压(例本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路系统，包括：　电荷泵，用来将供应电压提升至系统电压；　开回路控制器，用以提供第一信号来启动该电荷泵；　能隙电路，用以输出能隙基准电压；　闭回路控制器，通过比较该系统电压与该能隙基准电压来调控该系统电压，一旦该系统电压比目标电压低时，该闭回路控制器即提供第二信号来启动该电荷泵；　切换控制器，在感应到该能隙电路为启动状态之后即选取该闭回路控制器。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：许国原，篮茂峰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]