一种高低温下分布集中的带隙基准电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种高低温下分布集中的带隙基准电路，包括带隙基准电路、温度检测器和选通逻辑模块；所述带隙基准电路用于输出带隙基准电压vBGR；所述温度检测器用于检测带隙基准电路所处环境的温度，并在所测温度值大于或等于阈值时输出第一信号给选通逻辑模块，在所测温度值小于阈值时输出第二信号给选通逻辑模块；所述选通逻辑模块用于：在接收到第一信号时，将第一调整码送至带隙基准电路；在接收到第二信号时，将第二调整码送至带隙基准电路。本实用新型专利技术找到每个带隙基准电路对应的高温下的调整码和低温下的调整码，根据外部温度值动态选择合适的调整码，以达到带隙电压输出值在高低温下都在目标值附近分布非常集中的目的。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及集成电路
，特别涉及一种带隙基准电路。
技术介绍
目前带隙基准电路大多采用传统的电压型结构，通过设计保证带隙基准输出电压随温度、工艺和电源电压的变化在一定范围之内。其工作的基本原理如图1所示，包括运算放大器controls、三个二极管(D1、D2、D3)以及串接在两个二极管(D2、D3)上的两个电阻R2、R3，三个MOS管。吸纳有带隙基准电路通过一个正温度系数电压和一个负温度系数电压相加，进而得到一个零温度系数的电压。而在前端测试中，首先测量高温下带隙基准的电压值，根据测量值与目标值之间的偏差，选取相应的代码调整高温下输出电压值。调整代码为激光熔丝输出。随着工艺特征尺寸的减小和工艺流程复杂度的增加，带隙基准电路输出电压值随温度的变化量会较大，而且在一张晶圆上，不同的芯片表现出的温度特性也不同。如果还是用传统的带隙电路和传统的前端调整trim方法，就会出现如图2所示的问题。图2中线b代表的是理想情况下带隙电路输出电压随温度变化的曲线。线a是设计仿真中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高低温下分布集中的带隙基准电路，其特征在于，包括带隙基准电路、温度检测器和选通逻辑模块；所述带隙基准电路用于输出带隙基准电压vBGR；所述温度检测器用于检测带隙基准电路所处环境的温度，并在所测温度值大于或等于阈值时输出第一信号给选通逻辑模块，在所测温度值小于阈值时输出第二信号给选通逻辑模块；所述选通逻辑模块用于：在接收到第一信号时，将第一调整码送至带隙基准电路；在接收到第二信号时，将第二调整码送至带隙基准电路。

【技术特征摘要】
1.一种高低温下分布集中的带隙基准电路，其特征在于，包括带隙基准电路、温度检测
器和选通逻辑模块；
所述带隙基准电路用于输出带隙基准电压vBGR；
所述温度检测器用于检测带隙基准电路所处环境的温度，并在所测温度值大于或等于阈值
时输出第一信号给选通逻辑模块，在所测温度值小于阈值时输出第二信号给选通逻辑模块；
所述选通逻辑模块用于：在接收到第一信号时，将第一调整码送至带隙基准电路；在接收
到第二信号时，将第二调整码送至带隙基准电路。
2.根据权利要求1所述的一种高低温下分布集中的带隙基准电路，其特征在于，所述带
隙基准电路包括运算放大器controls、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电阻R2、电阻R3、
PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3；
PMOS管PMOS1、PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3的漏极均接电源；PMOS管PMOS1、
PMOS管PMOS2和PMOS管PMOS3的栅极共接且连接运算放大器controls的输出端；PMOS
管PMOS1的源极连接二极管D1的正极，二极管D1的负极接地；PMOS管PMOS2的源极串
接电阻R2后连接二极管D2的正极，二极管D2的负极...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾雪绒，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61