利用双向非对称缓冲器结构提高性能的LDO电路制造技术

技术编号:2791151 阅读:239 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
利用双向非对称缓冲器结构提高性能的LDO电路,采用双向非对称缓冲器结构同时提供具有信号反向功能的反馈通路和具有信号同向功能的前向通路,反馈通路用于实现LDO电路的频率补偿并提高瞬态响应性能,前向通路用于抵消由LDO传输元件的栅漏寄生电容产生的右半平面零点,从而改善系统的稳定性,拓展单位增益带宽。该电路具有结构简单、功耗低、能够有效消除右半平面零点等优点。

Improved LDO circuit using bidirectional asymmetric buffer structure

To improve the performance of LDO circuit using bidirectional asymmetric buffer structure, using two-way asymmetric buffer structure while providing feedback signal pathway and has the function of reverse signal to function prior to the pathway for the realization of the feedback path LDO frequency compensation circuit and improve the transient response performance, the forward path for RHP zeros generated by the offset LDO transmission components of the gate and drain parasitic capacitance, improve system stability, expand the unit gain bandwidth. The circuit has the advantages of simple structure, low power consumption and effective elimination of the right half plane zero point.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LDO电路,特别是一种利用双向非对称緩冲器结构来有效 消除低压差线性稳压器中的右半平面零点,从而增强环路稳定性并提高系统性 能的LDO电路。技术背景线性电路中通常使用闭环负反馈系统。例如,在低压差线性稳压器(LDO, Low-Dropout Voltage Regulator)中,通过使用反馈环路来得到稳定的输出电 压。为了降低输入输出压差(Dropout电压)并增强电流驱动能力,LDO中的 传输元件(也称为传输管、调整管、功率管、Pass Element, Power Device 等)通常具有极大的宽长比(如20000pm/lMm),因而其栅漏寄生电容Cgd通 常较大(如10pF)。寄生电容Cgd和传输元件的跨导gmp形成一个频率为gmp/Cgd 的右半平面零点cjzrhp,该零点的存在,降低了环路的稳定性,制约了LDO的 单位增益带宽和响应速度。为确保闭环系统能够稳定工作并实现高性能LDO的 设计目标,需要消除右半平面零点图1给出了现有的第一种消除右半平面零点的电路原理框图,包括增益级101、 LDO传输元件201、 LDO传输元件201的栅漏寄生电容C本文档来自技高网...

【技术保护点】
利用双向非对称缓冲器结构提高性能的LDO电路,包括缓冲级(401)、第一反向增益级(101)以及LDO传输元件(201);缓冲级(401)的输入端为信号输入端,缓冲级(401)的输出端与第一反向增益级(101)的输入端相连,第一反向增益级(101)的输出端与LDO传输元件(201)的输入端相连,LDO传输元件(201)的输出端为LDO电路的信号输出端,LDO传输元件(201)的栅漏寄生电容C↓[gd](202)并联于LDO传输元件(201)的输入端和输出端,其特征在于 :在缓冲级(401)的输出端与LDO传输元件(201)的输出端之间还并联有双向非对称缓冲器,所述的双向非对称缓冲...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:沈良国严祖树赵元富张兴
申请(专利权)人:北京时代民芯科技有限公司中国航天时代电子公司第七七二研究所北京大学
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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