半导体集成电路的输入缓冲器制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体集成电路，包括所述半导体电路（１）的一个第一工作方式和一个第二工作方式，包括多个输入缓冲器（ＩＢ１；ＩＢｎ），它们分别具有一个用于输入信号（ＩＮ１；ＩＮｎ）的接线端子。还包括至少一个输入缓冲器（ＩＢ１），它用于通过其输入信号（ＩＮ１）控制在工作方式之间的转换，所述用于控制在工作方式之间的转换的输入缓冲器（ＩＢ１）具有一个包括反相电路（１１）的驱动电路（１０）；所述驱动电路可根据规则被驱动进入第一和第二工作方式。其他输入缓冲器（ＩＢ２；ＩＢｎ）分别具有一个差动放大器电路（ＤＡ）；它在第二工作方式中关闭。通过以上方案可在较低的供电电压下可靠地切换反相电路，并减小所述半导体电路的最小电流消耗（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体集成电路，包括： －所述半导体电路（１）的一个第一工作方式和一个第二工作方式， －多个输入缓冲器（ＩＢ１；ＩＢｎ），它们分别具有一个用于输入信号（ＩＮ１；ＩＮｎ）的接线端子， －还包括至少一个输入缓冲器（ＩＢ１），它用于通过其输入信号（ＩＮ１）控制在工作方式之间的转换， －所述用于控制在工作方式之间的转换的输入缓冲器（ＩＢ１）具有一个包括反相电路（１１）的驱动电路（１０），所述驱动电路可根据规则被驱动进入第一和第二工作方式， －其他输入缓冲器（ＩＢ２；ＩＢｎ）分别具有一个差动放大器电路（ＤＡ），它在所述第二工作方式中关闭。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R福伊勒，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]