快速切换输入缓冲器制造技术

一种用于半导体装置的输入缓冲器电路（３００），包含一个ＰＭＯＳ晶体管（３０６）、一个ＮＭＯＳ晶体管（３０８）、及一个上拉电路（３１４）。当输入缓冲器（３００）切换时，上拉电路（３１４）施加一电压至ＰＭＯＳ晶体管（３０６）主体区域，产生正主体效应，使得ＰＭＯＳ晶体管（３０６）门限电压绝对值暂时下降。此举使输入缓冲器（３００）比已有的输入缓冲器切换更快速。输入缓冲器（３００）为一个反相器、ＮＯＲ、ＮＡＮＤ、或其它输入缓冲器。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于半导体装置的输入缓冲器电路（３００），包含：（ａ）一个输入节点（３０２）；（ｂ）一个输出节点（３１０）；（ｃ）一个具有源极、栅极、漏极、及主体节点的ＰＭＯＳ晶体管（３０６），ＰＭＯＳ晶体管（３０６）的源极节点与第一供给电 压（３０４）相接；（ｄ）一个具有源极、栅极、与漏极节点的ＮＭＯＳ晶体管（３０８），该源极节点接地；其中该ＰＭＯＳ及ＮＭＯＳ晶体管（３０６、３０８）的栅极与输入节点（３０２）相接，且ＰＭＯＳ及ＮＭＯＳ晶体管（３０６、３０８）的漏极与输 出节点（３１０）相接；以及（ｅ）一个上拉电路（３１４）与ＰＭＯＳ晶体管（３０６）的主体节点及第二供给电压相接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：L可来佛蓝道，K安古叶，
申请(专利权)人：先进微装置公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]