The present invention provides a semiconductor device and an offset voltage regulating method. The semiconductor device includes a fuse section having a plurality of switch fuse circuit configured to generate a control signal; an offset adjusting section configured to offset voltage of the switch control signal to adjust the differential amplifier based on supplied from the output node of the plurality of fuse circuits of the. A plurality of fuse circuit each includes a fuse connected between the first node and cut off the power supply voltage; the current source is connected between the output node voltage and the power supply in second; the first transistor is connected to the output node and the cut off between the nodes, and is connected to the gate second supply voltage.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，更具体地，涉 及一种能够在熔断器切断之前根据熔断器的连接/切断状态来确认电压 和电流的调节值的半导体器件，并涉及一种能够在熔断器切断之前确 认差分放大器的偏移电压的调节值的偏移电压调节方法。
技术介绍
近年来，汽车中电子部件的数目增加，并且不仅ECU(电子控制 单元)而且PCU (电力控制单元)得以发展。安装在PCU上的IC的 作用是利用大电流驱动的负载部件(例如前灯的灯和用于门和侧镜的 滑行操作的发动机)的控制。必须精确地控制上述的大电流。重要的是以高的精确性来降低在控制该大电流的系统中所用的运 算放大器的偏移电压。运算放大器的偏移电压通常由于制造中的元件 的变化而产生，并当利用大面积来执行元件的布局时可以降低。然而， 在需要被小型化并在一个芯片上安装包括运算放大器的各种电路的IC 中，用于运算放大器的面积受到限制，从而有时不能充分地降低偏移 电压。因此，为了调节所产生的偏移电压，预先安装调节元件。调节 元件的熔断器连接/切断状态根据所产生的偏移电压通过熔断器的切断 来改变，以调节偏移电压。此外，在以高精确性来调节偏移电压的情况下，即使当熔...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括： 熔断器部分，具有构造成产生开关控制信号的多个熔断器电路； 其中，所述多个熔断器电路中的每一个包括： 熔断器，连接在第一电源电压和切断节点之间； 电流源，连接在第二电源电压和所述输出节点之间； 第一晶体管，连接在所述输出节点和所述切断节点之间，并具有与所述第二电源电压连接的栅极。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：福原淳，满田刚，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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