稳压器和高压发生器制造技术

公开了一种包含在用于对半导体存储器件供给高压的高压发生器中的稳压器。该稳压器包括：分压电路，其被配置为对电荷泵的输出电压进行分压；比较电路，其被配置为将基准电压与和由分压电路所产生的分压电压进行比较；稳压器驱动电路，其被配置为选择性地将分压电路耦合到地；以及高压放电电路，其被配置为当电源电压的供给停止时将施加到比较电路的分压电压放电。

Voltage regulator and high voltage generator

A voltage regulator including a high voltage generator for supplying high voltage to a semiconductor memory device is disclosed. The regulator includes a divider circuit configured to output voltage of the charge pump of pressure; the comparison circuit is configured to convert a reference voltage and generated by the voltage dividing voltage regulator are compared; drive circuit is configured to selectively connect the divider circuit coupled to the ground; and a high voltage discharge circuit, which is configured to stop the supply when the power supply voltage applied to the comparison circuit to divide the voltage of discharge.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体器件，更具体地涉及一种高压发生器和用于稳 压高压的方法。
技术介绍
通常，IC芯片(例如闪速存储器)具有需要比电源电压高的电压的 电路。用于供给比电源电压高的电压的高压发生器通过使用根据由振荡器 所产生的时钟信号驱动的电荷泵来产生电压。这里，高压发生器还包括稳 压器(regulator)以^f更保持来自电荷泵的恒定输出电压。特别地，高压 发生器将电荷泵的输出电压和基准电压进行比较，当电荷泵的输出电压比 基准电压小时通过振荡器产生时钟信号，并且使用该时钟信号来驱动电荷 泵。然而，当电荷泵的输出电压比基准电压高时，高压发生器切断时钟信 号的产生。在某些情况下，可能意外地切断半导体器件的电源。这将切断电源电 压的供给，而且可能阻止从电荷泵输出的高压对地放电，反而使其导向稳 压器中所包含的比较电路的输入端子。其结果是，比较电路中的晶体管可 能被损坏。
技术实现思路
本专利技术的一个特征是提供一种具有高压放电电路的稳压器，该高压放 电电路用于当电源电压的供给被切断时对从电荷泵输出的高压进行放电。本专利技术的另 一个特征是提供一种具有上述稳压器的高压发生器。根据本专利技术的一个示例实施例的稳压器包括分压电路，其被配置为 对电荷泵的输出电压进行分压；比较电路，其被配置为将基准电压和由分 压电路所产生的分压电压(divided voltage)进行比较；稳压器驱动电 路，其被配置为选择性地将分压电路耦合到地；以及高压放电电路，其被 配置为当电源电压的供给被停止时将施加到比较电路的分压电压放电。根据本专利技术的一个示例实施例的高压发生器包括稳压器，其被配置 为将电荷泵的输出电压稳定到具有恒定电平的电压并输出该电压。这里， 稳压器具有分压电路，其被配置为对电荷泵的输出电压进行分压；比较 电路，其被配置为将基准电压和由分压电路所产生的分压电压进行比较， 并输出用于控制时钟驱动电路的操作的控制信号；稳压器驱动电路，其被 配置为选择性地将分压电路耦合到地；以及高压放电电路，其被配置为当 电源电压的供给被停止时将施加到比较电路的分压电压放电。才艮据本专利技术的另一个示例实施例的高压发生器包括第一稳压器，其 被配置为将电荷泵的输出电压稳定到具有恒定电平的第一稳压电压并输 出第一稳压电压；以及第二稳压器，其被配置为将第一稳压电压转换为具 有恒定电平的电压并输出该具有恒定电平的电压。这里，第一稳压器具有 第一分压电路，其被配置为对电荷泵的输出电压进行分压，从而输出第一 分压电压；第一比较电路，其被配置为将基准电压和第一分压电压进行比 较，并输出用于控制时钟驱动电路的操作的控制信号；第一稳压器驱动电 路，其被配置为选择性地将第一分压电路耦合到地；以及第一高压放电电 路，其被配置为当电源电压的供给被停止时，将施加到第一比较电路的第 一分压电压放电。如上所述，本专利技术的高压发生器可以在高压工作时停止电源电压的供 给的情况下切断对比较电路施加的高压。其结果是，可以防止比较电路中 所包含的晶体管的恶化和高压发生器的错误。附图说明图l是示出传统的高压发生器的电路图2是示出传统的高压发生器中所包含的比较电路的电路图3是示出在传统的高压发生器中电源电压的供^M亭止时所产生的 问题的视图； 图4是示出根据本专利技术的一个示例实施例的高压发生器的电路图； 图5A是示出当提供电源电压时高压放电电路的操作的视图； 图5B是示出当电源电压的供^uL时高压放电电路的操作的视图； 图6是示出根据本专利技术的另 一示例实施例的高压放电电路的电路图； 图7是示出根据本专利技术的又一示例实施例的高压发生器的电路图； 图8是示出根据电源电压的供给高压发生器的操作的视图。具体实施例方式下文中，将参考附图更详细地说明本专利技术的实施例。 图l是示出传统的高压发生器的电路图。高压发生器100包括振荡器110、时钟驱动电路120、电荷泵130和 稳压器140。振荡器110产生具有特定周期的时钟信号CLK1，并且向时钟驱动电 路120提供所产生的时钟信号CLK1。时钟驱动电路12 0根据从包含在稳压器14 0中的比较电路14 2输出的 使能信号EN延迟时钟信号CLK1，从而输出两个时钟信号CLK2和CLK2b， 其中，时钟信号CLK2的电平与时钟信号CLK2b的电平相反。为了执行上 述过程，时钟驱动电路120包括n个反相器串联连接的第一反相器组(未 示出)和(n+l)个反相器串联连接的第二反相器组(未示出)。电荷泵130根据从时钟驱动电路120输出的时钟信号CLK2和CLK2b 来执行泵激(pumping )操作，从而输出泵激电压VPP。稳压器140将电荷泵130的输出电压稳定到所希望的电压，例如具有 恒定电平的电压。稳压器140包括分压电路144，用于输出通itxt电荷泵130的输出 电压进行分压所产生的分压电压VDIV;比较电路142，用于比较分压电压 VDIV和基准电压VREF并根据比较结果控制时钟驱动电路120的操作；以 及稳压器驱动电路146,用于控制稳压器140的操作。分压电路144具有多个电阻器RO和Rl,串^合在与电荷泵130的 输出电压VPP相对应的端子和地之间，并且分压电路144根据电阻器RO 和R1的电阻比将分压电压VDIV输出到比较电路142。稳压器驱动电路146包括N-M0S晶体管N146,耦合在电阻器Rl和地 之间。另外，稳压器驱动电路146响应于施加到N-M0S晶体管N146的栅 极的控制信号REG-ON (具有高电平)而将分压电路144耦合到地，从而 使能稳压器140。比较电路142将基准电压VREF和分压电压VDIV进行比较，当基准电 压VREF比分压电压VDIV高时将高电平的信号EN输出到时钟驱动电路 120。此后将详细说明比较电路142。图2是示出传统的高压发生器中所包含的比较电路的电路图。比较电路142包括第一N-M0S晶体管N210和第二N-M0S晶体管N220, 其中第一电压(V+)施加到第一N-M0S晶体管N210的正极端子，第二电 压(V-)提供给第二N-MOS晶体管N220的负极端子。另外，比较电路142 还包括耦合在N-MOS晶体管N210和N220的源极端子与地之间的恒流源 230。此外，比较电路142还包括耦合在第一 N-MOS晶体管N210和电源电 压之间的第一P-MOS晶体管P210以及耦合在第二N-MOS晶体管N220和电 源电压之间的第二 P-MOS晶体管P220。这里，第一 P-MOS晶体管P210的 源极端子耦合到第二 P-MOS晶体管P220的源极端子，第一 P-MOS晶体管 P210的栅极端子耦合到第二 P-MOS晶体管P220的栅极端子。第一 P-MOS 晶体管P210的栅极端子耦合到第一 P-MOS晶体管P210的漏极端子。在这 种情况下，第二 N-MOS晶体管N220和第二 P-MOS晶体管P220之间的节点 的电压对应于输出电压Vout。也就是说，所述节点是输出节点。在第一电压(V+)比第二电压(V-)高的情况下，通过第一 N-MOS 晶体管N210的电流增大，而通过第二 N-MOS晶体管N220的电流减小。其 结果是，具有高电平的输出电压Vout被输出。在第一电压(V+)比第二电压(V-)小的情况下，通过第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种稳压器，包括：　分压电路，其被配置为对电荷泵的输出电压进行分压；　比较电路，其被配置为接收所述分压电路输出的分压电压并且将基准电压和所述分压电压进行比较；　稳压器驱动电路，其被配置为根据控制信号将所述分压电路耦合到地；以及　高压放电电路，其被配置为当电源电压被切断时将施加到所述比较电路的所述分压电压放电，　其中，当电源电压被切断时，所述控制信号是低电平或者０Ｖ。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李锡柱，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]