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利用双向非对称缓冲器结构提高性能的LDO电路,采用双向非对称缓冲器结构同时提供具有信号反向功能的反馈通路和具有信号同向功能的前向通路,反馈通路用于实现LDO电路的频率补偿并提高瞬态响应性能,前向通路用于抵消由LDO传输元件的栅漏寄生电容产生...该专利属于北京时代民芯科技有限公司;中国航天时代电子公司第七七二研究所;北京大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京时代民芯科技有限公司;中国航天时代电子公司第七七二研究所;北京大学授权不得商用。