一种抑制塑封电路内部分层的方法技术

本发明专利技术属于集成电路塑封领域，具体涉及了一种抑制塑封电路内部分层的方法。本发明专利技术旨在解决塑封电路内部分层的问题。本发明专利技术的抑制塑封电路内部分层的方法采用真空气相沉积工艺分别将偶联剂、聚对二甲苯、偶联剂沉积在电路内部，将纳米氟素沉积在塑封外层。本发明专利技术可有效增强器件防水防潮能力，抑制分层，还可使器件在通过HAST、高压蒸煮、盐雾考核后塑封料不受到腐蚀，保持外观整洁。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路塑封领域，具体涉及了一种抑制塑封电路内部分层的方法。

技术介绍

1、塑封电路分层：分层指封装体内部不同材料粘接在一起的界面间出现剥离，使器件寿命大幅降低。分层发生的主要区域为：塑封料与框架/基板界面、塑封料与导电胶界面，塑封料与芯片界面，分层主要是因不同材料间热膨胀系数差异所导致的热应力破坏或湿气破坏两方面造成。

2、真空气相沉积(phys i ca l vapor depos i t i on)：利用热蒸发或辉光放电、弧光放电的物理过程，在基材表面沉积所需涂层的技术。对于一般的真空沉积工艺而言，在沉积过程中，首先将腔室内部环境达到真空状态，然后开始对沉积材料进行加热，使沉积材料经过高温裂解后从腔室的一侧进入到腔室内部，而在腔室的另一侧则连着一台低温冷阱，通过冷阱的制冷作用，使得腔室两侧形成了明显的温度差，从而使沉积材料在腔室内部形成了一定的流动趋势并可以持续的进入腔室内。

3、纳米氟素主要包含氟聚合物和纳米颗粒，其中氟聚合物可提供良好的耐高温性能及抗腐蚀性能，纳米颗粒起到填充、增强等作用。二者有机结合，再加入本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制塑封电路内部分层的方法，其特征在于包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种抑制塑封电路内部分层的方法，其特征在于：步骤S1和S13中，烘烤在烘箱中进行，且烘烤条件为温度150℃，真空度为125±15mTor r，时间24h。

3.根据权利要求1所述的一种抑制塑封电路内部分层的方法，其特征在于：步骤S2和S14中，所采用的沉积工装尺寸依据框架/基板尺寸设计，其尺寸设计参数包括工装长度A1为212mm～300mm、工装宽度A2为88mm～136mm、工装厚度A3为6.6mm～18mm、外边缘长度B1为218mm～294mm、外边缘宽度B2为60mm～8...

【技术特征摘要】

1.一种抑制塑封电路内部分层的方法，其特征在于包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种抑制塑封电路内部分层的方法，其特征在于：步骤s1和s13中，烘烤在烘箱中进行，且烘烤条件为温度150℃，真空度为125±15mtor r，时间24h。

3.根据权利要求1所述的一种抑制塑封电路内部分层的方法，其特征在于：步骤s2和s14中，所采用的沉积工装尺寸依据框架/基板尺寸设计，其尺寸设计参数包括工装长度a1为212mm～300mm、工装宽度a2为88mm～136mm、工装厚度a3为6.6mm～18mm、外边缘长度b1为218mm～294mm、外边缘宽度b2为60mm～88mm、外边缘深度b3为0.25mm～0.45mm、内边缘长度c1为176mm～252mm、内边缘宽度c2为26mm～39mm、内边缘深度c3为1.8mm～6mm。

4.根据权利要求1所述的一种抑制塑封电路内部分层的方法，其特征在于：步骤s3和s15中所述掩模操作中，将电路放入工装后，使用3.5mm宽的胶带在电路四周环绕一圈粘接，工装边缘粘接宽度约1mm，电路边缘粘接宽度约2.5mm。

5.根据权利要求1所述的一种抑制塑封电路内部分层的方法，其特征在于：步骤s5和s9中，偶联剂为液态试剂，使用剂量为33ml～39ml；所述步骤s7中，聚对二甲苯为固体颗粒状使用剂量为14g～16g；步骤s17中，纳米氟素为液态试剂，使用剂量为10.5ml～13.5ml。

6.根据权利要求5所述的一种抑制塑封电路内部分层的方法，其特征在于：步骤s5和s9中，所述偶联剂为硅烷类物质，包括氯丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三氯...

【专利技术属性】
技术研发人员：周启钧，荆林晓，王勇，赵李阳，刘杰，井立鹏，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：