【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法
本专利技术有关一种半导体封装技术,尤指一种电子封装件及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展,电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足电子封装件微型化(miniaturization)的封装需求,发展出晶圆级封装(WaferLevelPackaging,简称WLP)技术。图1A至图1E为现有采用晶圆级封装技术的半导体封装件1的制法的剖面示意图。如图1A所示,形成一热化离形胶层(thermalreleasetape)100于一承载件10上。接着,置放多个半导体元件11于该热化离形胶层100上,该些半导体元件11具有相对的作用面11a与非作用面11b,各该作用面11a上具有多个电极垫110,且各该作用面11a粘着于该热化离形胶层100上。如图1B所示,形成一封装胶体14于该热化离形胶层100上,以包覆该半导体元件11。如图1C所示,烘烤该封装胶体14以硬化该热化离形胶层100,进而移除该热化离形胶层100与该承载件10,以外露出该半导体元件11的作用面11a。如图1D所示,形成一线路结构16于该封装胶体14与该半导体元件11的作用面11a上,令该线路结构16电性连接该电极垫110。接着,形成一绝缘保护层18于该线路结构16上,且该绝缘保护层18外露该线路结构16的部分表面,以供结合如焊球的导电元件17。如图1E所示,沿如图1D所示的切割路径L进行切单制程,以获取多个个半导体封装件1。但是,现有半导体封装件1,仅于该线路结构16 ...
【技术保护点】
1.一种电子封装件的制法,其特征在于,包括:/n提供一具有绝缘层的承载板;/n形成多个导电柱于该绝缘层上,且设置第一电子元件于该绝缘层上;/n形成包覆层于该绝缘层上,以令该包覆层包覆该第一电子元件与该导电柱,其中,该包覆层具有相对的第一表面与第二表面,该导电柱的端面外露于该包覆层的第一表面,且该包覆层以其第二表面结合至该绝缘层上;/n形成线路结构于该包覆层的第一表面上,且令该线路结构电性连接该导电柱与该第一电子元件;/n设置第二电子元件于该线路结构上,且令该第二电子元件电性连接该线路结构;以及/n移除该承载板,且保留该绝缘层。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190620 TW 1081215011.一种电子封装件的制法,其特征在于,包括:
提供一具有绝缘层的承载板;
形成多个导电柱于该绝缘层上,且设置第一电子元件于该绝缘层上;
形成包覆层于该绝缘层上,以令该包覆层包覆该第一电子元件与该导电柱,其中,该包覆层具有相对的第一表面与第二表面,该导电柱的端面外露于该包覆层的第一表面,且该包覆层以其第二表面结合至该绝缘层上;
形成线路结构于该包覆层的第一表面上,且令该线路结构电性连接该导电柱与该第一电子元件;
设置第二电子元件于该线路结构上,且令该第二电子元件电性连接该线路结构;以及
移除该承载板,且保留该绝缘层。
2.根据权利要求1所述的电子封装件的制法,其特征在于,该第一电子元件上结合及电性连接多个导电体,该导电体嵌埋于该包覆层中并电性连接该线路结构。
3.根据权利要求2所述的电子封装件的制法,其特征在于,该第一电子元件具有相对的作用面与非作用面,以于该作用面结合并电性连接该多个导电体。
4.根据权利要求2所述的电子封装件的制法,其特征在于,该包覆层的第一表面齐平该导电体的端面。
5.根据权利要求1所述的电子封装件的制法,其特征在于,该包覆层的第一表面齐平该导电柱的端面。
6.根据权利要求1所述的电子封装件的制法,其特征在于,该第二电子元件经由导电凸块设于该线路结构上以电性连接该线路结构。
7.根据权利要求1所述的电子封装件的制法,其特征在于,该制法还包括形成封装层于该线路结构上,以包覆该第二电子元件。
8.根据权利要求1所述的电子封装件的制法,其特征在于,该制法还包括形成线路部于绝缘层上,且令该线路部电性连接该导电柱。
9.根据权利要求8所述的电子封装件的制法,其特征在于,该线路部为电性接触垫及/或凸块底下金属层。
10.根据权利要求8所述的电子封装件的制法,其特征在于,该制法还包括形成多个导电元件于该线路部上。
11.根据权利要求10所述的电子封装件的制法,其特征在于,该制法还包括设置封装基板于该多个导电元件上。
技术研发人员:黄公敦,李弘和,郑子企,林长甫,邱启新,
申请(专利权)人:矽品精密工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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