集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构技术

本发明专利技术适用于半导体技术领域，提供了一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构，该方法包括：通过在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层，刻蚀BCB层，露出接地孔压点和信号连接压点；在刻蚀BCB层后的圆片上表面制备电镀层；在电镀层上淀积保护层，并刻蚀掉锡球凸点位置对应的保护层区域内的保护介质；在锡球凸点位置上制备UBM层，并在UBM层上制备锡球，从而可以达到将接地孔压点和信号连接压点从芯片表面引出的目的，并制备凸点锡球，从而满足倒装焊技术使用要求，与传统GaAs芯片接地孔布局形式相比，本实施例从上表面引出接地孔的方式更加灵活、使用性更强，从而可以在高密度电子封装领域上得以应用。

【技术实现步骤摘要】
集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构
本专利技术属于半导体
，尤其涉及一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构。
技术介绍
倒装焊技术，又称为倒扣焊技术，是指IC芯片面朝下与其它芯片、封装外壳或布线基板等直接互连的一种技术。由于倒装焊技术使芯片和封装间通过焊球连接，省去了引线连接，在芯片和封装间形成最短的连接通路，从而更好的迎合了微电子封装技术追求的更高密度、更小尺寸、更快处理速度、更高可靠性和更经济的发展趋势。GaAs集成电路以优异的芯片性能在电子产品中获得更多青睐，然而目前的GaAs芯片的接地孔和信号连接压点的结构形式，导致在倒装焊等高密度电子封装应用上增加了难度。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法及结构，旨在解决现有技术中GaAs芯片的接地孔和信号连接压点的结构形式，封装难度增加大的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例的第一方面提供了一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法，包括：>在完成正面工艺的圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法，其特征在于，包括：/n在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层，所述圆片上表面包括接地孔压点和信号连接压点；/n刻蚀所述BCB层，露出所述接地孔压点和所述信号连接压点；/n在刻蚀所述BCB层后的圆片上表面制备电镀层；/n在所述电镀层上淀积保护层，并刻蚀掉锡球凸点位置对应的保护层区域内的保护介质；/n在所述锡球凸点位置上制备UBM层，并在所述UBM层上制备锡球。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法，其特征在于，包括：
在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层，所述圆片上表面包括接地孔压点和信号连接压点；
刻蚀所述BCB层，露出所述接地孔压点和所述信号连接压点；
在刻蚀所述BCB层后的圆片上表面制备电镀层；
在所述电镀层上淀积保护层，并刻蚀掉锡球凸点位置对应的保护层区域内的保护介质；
在所述锡球凸点位置上制备UBM层，并在所述UBM层上制备锡球。


2.如权利要求1所述的集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法，其特征在于，所述在完成正面工艺的圆片上表面制备BCB层，包括：
在完成正面工艺的圆片上表面涂覆BCB形成BCB层，并固化所述BCB层；
在固化的BCB层上淀积掩膜介质形成掩膜层；
采用干法刻蚀方式刻蚀所述掩膜层，刻蚀掉所述接地孔压点和所述信号连接压点分别对应的掩膜层区域内的掩膜介质。


3.如权利要求2所述的集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述BCB层，包括：
采用所述掩膜层直接刻蚀所述BCB层；
在所述刻蚀所述BCB层之后，还包括：
采用BOE将掩膜层剩余的掩膜介质去掉。


4.如权利要求1-3中任一项所述的集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法，其特征在于，所述BCB层的厚度为21μm～22μm。


5.如权利要求2或3所述的集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法，其特征在于，所述掩膜介质为SiO2。


6.如权利要求1-3中任一项所述的集成电路接地孔和信号连接压点的引出制备方法，其特征在于，所述在刻蚀所述BCB层后的圆片上表面制备电镀层，包括：
在刻蚀所述BCB层后的圆片上涂光刻胶，曝光显影后通过溅射及电镀工艺制备电镀层；所述曝光显影后光刻胶覆盖区域为圆片上电镀层的区域之间的隔离区域；
去除剩余的光刻胶。


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【专利技术属性】
技术研发人员：廖龙忠，谭永亮，高渊，胡泽先，付兴中，张力江，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13