判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法技术

本发明专利技术公开了一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法。该方法是通过注入电流的变化，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对ＬＥＤ发光表面进行光谱扫描测量，根据测得的显微发光光谱线型的演化来判断这种高效量子结构的存在。本发明专利技术方法操作简便，无破坏性；不仅可以明确多量子阱外延层中的量子结构，及时推进生产工艺的改进；还可对其在工作电流下发光效率的高低进行预测，有利于器件产品的应用分级，对于产品升级换代、降低成本和提高生产效率都具有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体发光二极管(LED),具体是指一种判断多量子阱发光二 级管材料中是否具有形成高量子效率的量子结构的方法。
技术介绍
GaN基LED可以发射蓝光和绿光，并能制成白光LED，具有长寿命、节倉g、 绿色环保等显著特点，已被泛应用于大屏幕彩色显示、汽车照明和交通信号、 多媒体显示、光通讯等领域，尤其照明领域具有广阔的发展潜力。GaN基半导 体发光二极管的出现，解决了固体光源三基色的问题，使LED五大产业链迅速 发展起来，逐步成为具有重大经济与社会意义的高新技术产业。GaN基LED广 泛采用InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构作为发光区域，而其中实际发光中心 富In的InGaN量子点结构，则受生长条件影响很大；不同条件下生长的量子点 不仅尺寸、密度及In含量不同，而且它们在量子阱中的空间分布也不同。不同 尺寸的量子点对载流子具有不同的捕获和填充能力，会造成载流子的不均匀分 布，这对LED的发光效率有很大的影响。具有稳定的生产工艺和高效的量子器件结构，是目前GaN基LED生产企业 提高效益、降低成本的最佳途径。然而，目前很多生产企业获得一套能够改进 LED发光效率的生本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种判断多量子阱发光二级管材料中高效量子结构存在的方法，其特征在于具体步骤如下：§Ａ．将按照工业生产过程制备的多量子阱ＬＥＤ芯片，置于显微荧光光谱仪的物镜下，接通电源使ＬＥＤ发光，调节焦距，将物镜焦点聚在ＬＥＤ发光面上；§Ｂ．第一次测量：调节电源，使注入电流处于能使ＬＥＤ发光的最小值，利用显微荧光光谱仪的面扫描功能对ＬＥＤ发光表面进行光谱扫描测量，并由光谱仪的ＣＣＤ探测器采集每一个测量微区的电致发光光谱，扫描面积为ＬＥＤ发光表面的实际大小，扫描步长小于１０μｍ，大于１μｍ；微区直径为１－５μｍ之间；§Ｃ．第二次测量：注入电流增大５０－１００μＡ，按步骤§Ｂ及条件进行第二次光谱扫描测量，得到此电...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陆卫，夏长生，李志锋，张波，甄红楼，陈平平，李天信，李宁，陈效双，陈明法，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，上海蓝宝光电材料有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]