一种热载流子注入测试MOS器件的方法技术

本发明专利技术提供的一种热载流子注入测试ＭＯＳ器件的方法包括以下步骤：１．根据ＪＥＤＥＣ标准，对器件进行热载流子注入实验，计算所测试出的电学参数衰退幅度值；２．将不同时间点下计算出的ＭＯＳ器件电学参数衰退幅度数据利用公式ｙ＝Ａｔ↑［ｎ］＋Ｂｅｘｐ（ｃ／ｔ）＋Ｄｌｎ（ｔ）＋Ｅ进行拟合；３．据步骤２的拟合结果，确定步骤２中公式中指数ｎ和常数Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ值；４．依据步骤３得出的电学参数退化规律的计算公式来推算所测试的ＭＯＳ器件的电学参数的可靠性是否合格。通过采用步骤２中拟合公式可刻画ＭＯＳ器件电学参数在整个阶段的变化规律，克服了胡模型中密指数函数拟合精度不高和人为因素导致的测试结果不同的问题，从而提高了ＭＯＳ器件性能评估的准确度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件可靠性测试领域，尤其涉及热载流子注入测试MOS 器件的方法。
技术介绍
当半导体制作工艺进入深亚微米时代，半导体器件可靠性越来越直接影响 着制作的IC芯片的性能和使用寿命。由于热载流子注入是一直影响半导体MOS 器件性能的重要因素，其直接引起MOS器件性能的退化，因此热载流子注入成 为了 MOS器件可靠性测试的一项重要指标。MOS器件热载流子的注入是按照 JEDEC标准，在相同加载电压下记录不同电压加载时间下所测试的MOS器件性 能指标的退化幅度。目前热载流子引起的MOS器件性能退化的规律普遍接受加 州大学伯克利分校的胡正明教授创建的胡模型，该模型一直作为MOS器件可靠 性评价的标准模型。胡模型认为，MOS器件的衰变幅度随时间是遵循一个密指数函数的规律。 然而，在4艮多情况下，例如，在测试的最初几万秒内曲线的波动和随着电压加 载时间的延长，器件性能的衰变率呈现饱和的情况下，这种单一的密指数函数 不能完全刻画器件性能在整个测试阶段的衰变规律。为提高胡模型的拟合精度， 通常方法是选取长时间测试的数据点，代入数据拟合软件，利用胡模型中密指 数函数进行拟合。但是，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热载流子注入测试ＭＯＳ器件的方法，所述ＭＯＳ器件热载流子的注入基于ＪＥＤＥＣ标准，其特征在于，该方法包括以下步骤：　　　　步骤１：根据ＪＥＤＥＣ标准，对器件进行热载流子注入实验，记录不同电压加载时间下所测试的ＭＯＳ器件电学参数数据值，计算所测试出的电学参数衰退幅度值；　　　　步骤２：将不同时间点下计算出的ＭＯＳ器件电学参数衰退幅度数据利用以下公式进行拟合；　　　　ｙ＝Ａｔ↑［ｎ］＋Ｂｅｘｐ（Ｃ／ｔ）＋Ｄｌｎ（ｔ）＋Ｅ　　　　其中，ｔ为测试时间值，ｙ代表拟合得出的所测试的ＭＯＳ器件电学参数衰退幅度数据，ｎ、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ和Ｅ为６个待定常数；　　　　步骤３：根据步骤２的拟合结果，确定步骤２中公...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐逸，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]