温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供的一种热载流子注入测试ＭＯＳ器件的方法包括以下步骤：１．根据ＪＥＤＥＣ标准，对器件进行热载流子注入实验，计算所测试出的电学参数衰退幅度值；２．将不同时间点下计算出的ＭＯＳ器件电学参数衰退幅度数据利用公式ｙ＝Ａｔ↑［ｎ］＋Ｂｅｘｐ（...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。