半导体加速感测器制造技术

一种半导体加速感测器，包括：　　　　非单晶硅基底；　　　　电性绝缘的梁状结构，其具有可动端与固定端；　　　　至少一个压电电阻，其设置于该梁状结构上；　　　　电性绝缘的支承构件，其设置于该非单晶硅基底上，用来固定该梁状结构的该固定端，使得该梁状结构与该非单晶硅基底之间相隔一定距离；以及　　　　薄膜晶体管控制电路，其设置于该非单晶硅基底上并电连接于该压电电阻与该梁状结构。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种加速感测器，尤其是一种制作成本较低、并可避免漏电流的产生、以期符合市场需求的半导体加速感测器(semiconductoracceleration sensor)，。
技术介绍
加速感测器已广泛的应用于地震仪、车用安全汽囊、遥控设备(robotics)等领域中。一般而言，测量加速的原理与方法有许多，针对不同领域的应用或特别需求而有不同的设计方法与考量。目前，加速感测器的设计方法主要包括压阻式(piezoresistive)、压电式(piezoelectric)、电容式(capacitive)以及半导体感测器等。由于各种加速感测器尺寸方面的大幅缩小以及工艺、组装和操作上的限制，出现了一种新的微加工技术(micromachining technology)，可应用于制造各种微感测元件(microsensor)及微致动器(microactuator)，并与微电子电路整合后可构成微系统(microsystem)，通称为微机电系统(microelectro-mechanical system，MEMS)。MEMS具有微小化、可大规模生产(batchproduction)以降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨健生，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：