一种浅沟槽结构制备方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种浅沟槽结构制备方法及装置，所述制备方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底的一侧形成第一材料层；在所述第一材料层背离所述衬底的一侧形成第二材料层；在所述第二材料层、所述第一材料层与所述衬底中形成一浅沟槽；采用湿法刻蚀对所述第二材料层实施由浅沟槽向两侧的第一横向刻蚀；采用干法刻蚀对所述第一材料层实施由浅沟槽向两侧的第二横向刻蚀。本发明专利技术解决了现有的横向刻蚀技术对浅沟槽中的硅造成损伤的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种浅沟槽结构制备方法及装置
本专利技术属于集成电路制造
，特别是涉及一种浅沟槽结构制备方法及装置。
技术介绍
半导体集成电路通常包含有源区和位于有源区之间的隔离区，这些隔离区在制造有源器件之前形成。伴随着半导体工艺进入深亚微米时代，半导体器件的有源区隔离层已大多采用浅沟槽隔离(ShallowTrenchIsolation，STI)工艺来制作。随着半导体技术节点以及半导体制造机台的演进及进步，衬底上的器件密度不断增加，关键尺寸不断缩小，为了便于浅沟槽隔离结构的填充，需要对衬底上的掩膜层进行回刻，即横向刻蚀。现有的掩膜层横向刻蚀技术全程依靠试剂进行湿法刻蚀，这些方法在刻蚀掩膜层时，都会对浅沟槽中的衬底造成一定程度的损伤。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种浅沟槽结构制备方法及装置，解决了现有的横向刻蚀技术对浅沟槽中的衬底造成损伤的问题。为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：本专利技术提供一种浅沟槽结构制备方法，其至少包括以下步骤：提供一衬底；<br>在所述衬底的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种浅沟槽结构制备方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：/n提供一衬底；/n在所述衬底的一侧形成第一材料层；/n在所述第一材料层背离所述衬底的一侧形成第二材料层；/n在所述第二材料层、所述第一材料层与所述衬底中形成一浅沟槽；所述衬底与所述浅沟槽相接触的转角形成一弧形转角；/n采用湿法刻蚀对所述第二材料层实施由所述浅沟槽向两侧的第一横向刻蚀；/n采用干法刻蚀对所述第一材料层实施由所述浅沟槽向两侧的第二横向刻蚀。/n

【技术特征摘要】
1.一种浅沟槽结构制备方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：
提供一衬底；
在所述衬底的一侧形成第一材料层；
在所述第一材料层背离所述衬底的一侧形成第二材料层；
在所述第二材料层、所述第一材料层与所述衬底中形成一浅沟槽；所述衬底与所述浅沟槽相接触的转角形成一弧形转角；
采用湿法刻蚀对所述第二材料层实施由所述浅沟槽向两侧的第一横向刻蚀；
采用干法刻蚀对所述第一材料层实施由所述浅沟槽向两侧的第二横向刻蚀。


2.根据权利要求1所述一种浅沟槽结构制备方法，其特征在于，所述第一材料层包括氮化硅。


3.根据权利要求1所述一种浅沟槽结构制备方法，其特征在于，所述第二材料层包括氧化硅。


4.根据权利要求1所述一种浅沟槽结构制备方法，其特征在于，所述第一横向刻蚀的宽度为20Å~200Å。


5.根据权利要求1所述一种浅沟槽结构制备方法，其特征在于，所述弧形转角的弧度为小于0.5π。


6.根据权利要求1所述一种浅沟槽结构制备方法，其特征在于，所述第一材料层的侧壁与所述第二材料层的侧壁不对齐。


7.根据权利要求1所述一种浅沟槽结构制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀的气体为含氟气体。


8.根据权利要求1所述一种浅沟槽结构制备方法，其特征在于，所述第二横向刻蚀的宽度为20Å~200Å。

【专利技术属性】
技术研发人员：林子荏，杨智强，林政纬，林祐丞，
申请(专利权)人：南京晶驱集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32