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本发明公开一种浅沟槽结构制备方法及装置，所述制备方法包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底的一侧形成第一材料层；在所述第一材料层背离所述衬底的一侧形成第二材料层；在所述第二材料层、所述第一材料层与所述衬底中形成一浅沟槽；采用湿法刻蚀对所述第二...
该专利属于南京晶驱集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京晶驱集成电路有限公司授权不得商用。

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